[发明专利]用于等离子体增强化学气相沉积的腔室

权利要求书

1.一种用于处理基板的工艺腔室，包含：

PECVD腔室，所述PECVD腔室具有单一工艺体积，所述单一工艺体积具有两个工艺区域，所述两个工艺区域经配置以处理面对面、垂直定向固定的基板；及

垂直定向的天线结构，所述天线结构置中设置于所述PECVD腔室内，所述天线结构在所述单一工艺体积内分隔所述两个工艺区域。

2.如权利要求1的工艺腔室，其中所述天线结构包含一或多个天线，所述天线突出到所述PECVD腔室外侧。

3.如权利要求2的工艺腔室，其中所述天线自所述PECVD腔室的顶部突出。

4.如权利要求2的工艺腔室，其中所述天线自所述PECVD腔室的顶部及底部突出。

5.如权利要求1的工艺腔室，还包含传送器，所述传送器可经操作以将基板移动进出所述PECVD腔室，同时保持所述基板处于垂直定向。

6.如权利要求1的工艺腔室，还包含微波频率功率源，所述微波频率功率源耦合至所述天线结构。

7.如权利要求1的工艺腔室，还包含垂直定向的气体馈送结构，所述气体馈送结构延伸至所述工艺体积内且邻近所述天线结构。

8.如权利要求1的工艺腔室，还包含垂直定向的气体馈送结构，所述气体馈送结构延伸至所述工艺体积内且邻近所述天线结构，其中所述天线结构包含一或多个天线，各个天线包含多个叶片。

9.如权利要求8的工艺腔室，其中所述天线结构耦合至微波频率功率源。

10.如权利要求8的工艺腔室，其中所述天线结构自真空腔室的顶部突出。

11.如权利要求8的工艺腔室，其中所述天线结构自真空腔室的顶部及底部突出。

12.如权利要求8的工艺腔室，其中所述垂直定向的气体馈送结构包含多个气体馈送管，所述多个气体馈送管间散布着所述天线的所述叶片。

13.如权利要求1的工艺腔室，其中所述垂直定向的天线结构包含多个线性天线。

14.如权利要求13的工艺腔室，其中所述多个线性天线设置成线性阵列。

15.一种用于在基板上沉积膜的工艺，所述工艺包含以下步骤：

在PECVD腔室中将两个基板保持成面对面、垂直定向；

提供工艺气体混合物至所述PECVD腔室；

施加微波频率功率至垂直定向的天线结构，以从位于各个垂直定向的基板间的所述工艺气体形成等离子体；及

在所述等离子体的存在下，沉积膜至基板上。

16.如权利要求15的工艺，还包含以下步骤：

经由垂直延伸的管提供所述工艺气体混合物至所述PECVD腔室中，其中所述垂直延伸的管设置于所述两个基板之间。

17.如权利要求15的工艺，其中沉积膜的步骤包含以下步骤：

沉积含硅膜至所述基板上。

18.如权利要求15的工艺，其中沉积膜的步骤包含以下步骤：

在实质上为室温的温度下，沉积含硅膜至所述基板上。

19.如权利要求15的工艺，其中所述微波频率功率是以约1W/cm²至约6W/cm²之间的功率密度施加的。

20.如权利要求19的工艺，其中所述微波频率功率的频率介于约600MHz至约3GHz之间。