[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体芯片；

电极焊盘，其由含铝的金属材料构成，且形成在所述半导体芯片的表面；

电极引脚，其被配置在所述半导体芯片的周围；

焊线，其具有线状延伸的主体部、和形成在所述主体部的两端且与所述电极焊盘以及所述电极引脚分别接合的焊盘接合部以及引脚接合部；和

树脂封装，其对所述半导体芯片、所述电极引脚以及所述焊线进行密封，

所述焊线由铜构成，

所述电极焊盘整体以及所述焊盘接合部整体被非透水膜呈一体地覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极引脚的表面以及所述引脚接合部整体，被所述非透水膜呈一体地覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述非透水膜为绝缘膜，

所述半导体芯片的表面整体以及所述焊线整体被所述绝缘膜覆盖。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述非透水膜是金属膜，

所述电极焊盘整体以及所述焊线整体被所述金属膜覆盖。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜由镍或钯构成。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片的表面与所述树脂封装的表面之间的间隔，小于所述半导体芯片的侧面与所述树脂封装的侧面之间的最短距离。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片的表面与所述树脂封装的表面之间的间隔，小于所述半导体芯片的表面与所述树脂封装的背面之间的距离。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述非透水膜为0.5～3μm厚。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述焊盘接合部是比所述主体部直径大的剖视凸状，且具有：

基部，其与所述电极焊盘接触；

中间部，其形成在所述基部上；和

凸出部，其从所述中间部凸出，并经由所述中间部与所述基部连接，

所述中间部具有相对于所述电极焊盘垂直地截断时的截面形状为非直线状的侧面。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

非直线状的所述侧面为向所述焊盘接合部的内侧弯曲的弯曲面。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

非直线状的所述侧面的截面形状为曲线波形。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

非直线状的所述侧面的截面形状为直线波形。

13.根据权利要求9～12的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

非直线状的所述侧面在所述焊盘接合部的整周形成。

14.根据权利要求1～13的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述焊盘接合部的体积与所述主体部的线径的三次方之比为1.8～5.6。

15.根据权利要求1～14的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片包括：

半导体基板；

布线，其形成在所述半导体基板上；

绝缘层，其覆盖所述布线；和

阻绝层，其形成在所述绝缘层上，

所述电极焊盘，在所述阻绝层上，形成于与所述布线的一部分对置的位置，

在俯视时，与所述焊线和所述电极焊盘的接合区域相重叠的所述布线的面积为所述接合区域的面积的26.8％以下。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘层包括：第一层间绝缘膜、和层叠在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜，

所述布线被所述第一层间绝缘膜覆盖。