[实用新型]具有静电损伤保护功能的发光二极管器件

权利要求书

1.一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件，其特征在于：包括

发光二极管芯片，其包括一发光区和一静电防护区，其中，该发光区包括一发光二极管，该静电防护区包括至少两个静电防护二极管，该发光二极管和静电防护二极管通过隔离槽相互隔离；

倒装基板，其包括一表面绝缘的基底，及覆盖在基底表面上的金属线层；

该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上，通过该倒装基板上的金属线层，该静电防护二极管串接然后与该发光二极管反向并联。

2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光区所占面积大于该发光二极管芯片总面积的50％。

3.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光二极管芯片上具有三个静电防护二极管。

4.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该倒装基板的基底为陶瓷基板、表面覆盖有绝缘层的硅基板或表面覆盖有绝缘层的金属基板。

5.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光二极管和静电防护二极管包括n型半导体层、活性层和p型半导体层；其中该n型半导体层覆盖在该发光二极管芯片的衬底表面，该活性层覆盖在n型半导体层的部分表面，并使部分n型半导体层外露，该p型半导体层覆盖在该活性层表面。

6.根据权利要求5所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光二极管和静电防护二极管进一步包括钝化层和电极层，该钝化层覆盖在部分外露的n型半导体层和p型半导体层的表面，使得n型半导体层和p型半导体层之间相互绝缘；该电极层覆盖在钝化层之间外露的n型半导体层和p型半导体层表面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该倒装基板包括设置在金属线层上的凸点焊球，该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上使电极层与凸点焊球连接。