[实用新型]一种具有集成电路的发光器件

说明书

技术领域

本实用新型属于发光器件的制造领域，涉及一种具有集成电路的发光器件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)光源具有高效率、长寿命、不含Hg等有害物质的优点。随着LED技术的迅猛发展，LED的亮度、寿命等性能都得到了极大的提升，使得LED的应用领域越来越广泛，从路灯等室外照明到装饰灯等室内照明，均纷纷使用或更换成LED作为光源。

倒装焊结构是LED发光器件的其中一种封装结构，其是以倒装方式将LED芯片倒装焊接在衬底上，其相对于传统的通过金线使LED芯片与衬底的电极电连接的封装结构具有更高的可靠性及更好的散热性能，且还可以把一些功能电路集成在衬底上。请参阅图1，公开号为CN1731592A的中国专利申请公开了一种倒装焊结构发光二极管，其包括一LED芯片1和一衬底2，该衬底2的上表面设置金属层22，金属层22的上表面设置有凸点阵列24。同时，该衬底2上接近金属层22处设置有一集成电路26，该LED芯片1通过该衬底2上的凸点阵列24与该集成电路26电连接。

由于该集成电路26集成在衬底2的上表面，与LED芯片2的物理距离较近，容易因LED芯片1发出的光辐射导致一系列的光电寄生效应从而影响整个发光器件的稳定性。另外，LED芯片1产生的热量经衬底2上表面的金属层22直接传导到集成电路26中，影响了集成电路26的稳定性。再者，该衬底2上的集成电路26与LED芯片1相邻，两者的布局需要互相迁就，限制了衬底2上金属层22和集成电路26的可用面积，从而局限了设计的灵活性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种避免光电寄生效应的具有高稳定性的具有集成电路的发光器件。

一种具有集成电路的发光器件，包括LED芯片和衬底。该LED芯片可以是单芯片、多芯片模组或具有多个单元的芯片等，LED芯片其具有P电极和N电极。该衬底上设置有集成电路、第一金属电极层、第二金属电极层和电极层连接部。该集成电路设置在该衬底的下表面，该第一金属电极层覆盖在该衬底的上表面，该第二金属电极层覆盖在该衬底的下表面并与集成电路连接，该电极层连接部贯穿该衬底上表面和下表面连接该第一电极层和第二电极层。该LED芯片倒装在该衬底上，LED芯片的P电极和N电极分别与该衬底上的第一金属电极层连接。

相对于现有技术，本实用新型将集成电路集成于衬底的下表面，LED芯片通过第一金属电极层、电极层连接部和第二金属电极层与集成电路电连接，从而以衬底隔开了LED芯片和集成电路结构，避免了LED芯片和集成电路由于相邻太近而导致的一系列光电寄生效应，提高了整个发光器件的稳定性。

为了能更清晰的理解本实用新型，以下将结合附图说明阐述本实用新型的具体实施方式。

附图说明

图1是现有技术倒装焊结构发光二极管的结构示意图。

图2是本实用新型具有集成电路的发光器件的实施例1的结构示意图。

图3是本实用新型具有集成电路的发光器件的实施例2的结构示意图。

图4是本实用新型具有集成电路的发光器件的实施例3的结构示意图。

具体实施方式

实施例1：

请参阅图2，其是本实用新型具有集成电路的发光器件的实施例1的结构示意图。该发光器件包括一LED芯片101和一衬底201。

该LED芯片101分别具有P和N两个电极，电极上设置有金属焊垫205。

该衬底201具体为一硅基板。一集成电路301集成在该衬底201的下表面内。在该集成电路301两侧的衬底201上分别具有贯穿该衬底201上、下表面的通孔208。一绝缘层202覆盖在该衬底201的上表面、下表面以及通孔208的内壁。用以与LED芯片101的两个电极电连接的二个相互绝缘的第一金属电极层203位于集成电路301两侧，并覆盖在该衬底201上表面的绝缘层202表面。二个相互绝缘的第二金属电极层207位于集成电路301两侧，并覆盖在该衬底201下表面的绝缘层202表面，分别与集成电路301电连接。该通孔208内填充有电极层连接部206，位于该集成电路301同一侧的第一金属电极层203和第二金属电极层207通过该电极层连接部206电连接。该第一金属电极层203的表面设置有金属凸点204。

该LED芯片101倒装在该衬底201上，LED芯片101的P、N电极上的金属焊垫205分别与第一金属电极层203表面的金属凸点204接合。

该绝缘层202的材料可以选择二氧化硅、氮化硅、聚对二甲苯、聚酰亚胺PI薄膜或其它聚合物等绝缘材料。