[实用新型]一种复合气浮装置及使用复合气浮装置的硅片台移动装置有效
| 申请号: | 201020201104.6 | 申请日: | 2010-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN201732777U | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
| 发明(设计)人: | 赵正龙;朱岳彬 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复合 装置 使用 硅片 移动 | ||
1.一种复合气浮装置,其特征在于,包括:
气缸缸体,所述气缸缸体的缸径端开有一缸体型腔,所述缸体型腔的底部开有透空环槽,所述气缸缸体外接气缸气源;
气浮柱塞杆,所述气浮柱塞杆位于所述气缸缸体内,并在所述气缸缸体内移动,所述气浮柱塞杆为一包括底部圆柱体及顶部圆柱体的截面呈“凸”形的圆台体结构,所述气浮柱塞杆底部圆柱体的外部开有第一环槽及第二环槽,所述顶部圆柱体的外部沿直径方向开有多个第一通孔,所述多个第一通孔在所述顶部圆柱体的中心位置处相通,所述第一通孔外接气浮柱塞杆气源,所述顶部圆柱体的顶部圆面的外围开有多个气浮孔,所述气浮孔与所述第一通孔相连;
密封圈,所述密封圈套在所述气浮柱塞杆的第一环槽上;
导向环,所述导向环套在所述气浮柱塞杆的第二环槽上;以及
多个螺旋弹簧,所述螺旋弹簧的第一端与所述气浮柱塞杆相连,第二端与所述气缸缸体相连。
2.如权利要求1所述的复合气浮装置,其特征在于,所述气缸缸体外部的竖直方向开有两个对称的第二扁势面,所述两个对称的第二扁势面上分别开有一第二通孔,所述第二通孔连接所述第二扁势面与所述透空环槽,所述气缸气源接在所述第二通孔处。
3.如权利要求2所述的复合气浮装置,其特征在于,所述气缸气源通过双向速度控制阀接在所述第二通孔处。
4.如权利要求1所述的复合气浮装置,其特征在于,所述气缸缸体的顶部开有一缺口。
5.如权利要求4所述的复合气浮装置,其特征在于,所述多个第一通孔中的一个第一通孔与所述气缸缸体顶部的缺口相对。
6.如权利要求5所述的复合气浮装置,其特征在于,还包括一压环,所述压环为一片状的圆环柱体结构,所述压环上开有一开口,所述压环固定到所述气缸缸体,使得所述压环上的开口与所述气缸缸体顶部的缺口在同一竖直方向上。
7.如权利要求6所述的复合气浮装置,其特征在于,所述螺旋弹簧的第二端通过所述压环与所述气缸缸体相连。
8.如权利要求1所述的复合气浮装置,其特征在于,所述气浮柱塞杆顶部圆柱体的外部开有多个均匀分布的第一扁势面,所述第一通孔开在所述第一扁势面上。
9.如权利要求8所述的复合气浮装置,其特征在于,所述每个第一通孔连接两个气浮孔,所述第一通孔的深度小于所述顶部圆柱体的直径。
10.如权利要求9所述的复合气浮装置,其特征在于,所述第一扁势面的数量为三个,所述第一通孔的数量为三个,所述气浮孔的数量为六个。
11.如权利要求1所述的复合气浮装置,其特征在于,所述第一通孔通过不锈钢快换接头外接所述气浮柱塞杆气源。
12.如权利要求1所述的复合气浮装置,其特征在于,所述气浮柱塞杆的底部设有一减轻孔。
13.如权利要求1所述的复合气浮装置,其特征在于,所述导向环为一薄壁圆环。
14.如权利要求1所述的复合气浮装置,其特征在于,所述密封圈为一圆环结构,其内圈的横截面为多半圆面,外圈的横截面为矩形面,圆环的上端面和下端面由圆弧凹槽面组成。
15.一种利用权利要求1至14中任一项所述的复合气浮装置的硅片台移动装置,其特征在于,包括:
承重平台,所述承重平台上设有三个等高柱、两条导轨以及一连杆副推力结构;
硅片台,所述硅片台的底部设有滚轮副,所述滚轮副在所述导轨上滚动;以及
多个复合气浮装置,所述复合气浮装置固定在所述硅片台的底部,所述复合气浮装置的气浮孔与所述承重平台相对。
16.如权利要求15所述的硅片台移动装置,其特征在于,所述等高柱块的高度比所述复合气浮装置的厚度大1.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





