[发明专利]槽型半导体功率器件无效
| 申请号： | 201010610944.2 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110716A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;姚国亮;雷天飞;王元刚;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李家麟 |
| 地址： | 611731 中国四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
1. 一种半导体器件，该器件包括：
半导体衬底，
所述半导体衬底上的半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和通过小倾角离子注入形成的第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构；
所述半导体衬底上的高K介质，所述高K介质与所述第二导电类型的半导体区相邻；
所述半导体漂移区上的有源区；
所述高K介质上方的槽栅结构，所述槽栅结构与所述有源区相邻。
2. 如权利要求1所述的半导体器件,
其中，所述通过小倾角离子注入形成的第二导电类型的半导体区的宽度小于或等于所述第一导电类型的半导体区的宽度。
3. 如权利要求2所述的半导体器件,
所述第二导电类型的半导体区的宽度与浓度的乘积大于或者等于所述第一导电类型的半导体区的宽度与浓度的乘积。
4. 如权利要求1所述的半导体器件,
其中，所述第一导电类型的半导体区、所述第二导电类型的半导体区以及所述高K介质均呈柱状，并与半导体衬底垂直。
5. 如权利要求1所述的半导体器件,
其中，在所述半导体衬底与所述高K介质和半导体漂移区之间具有第二导电类型的低掺杂半导体层，所述低掺杂半导体层的掺杂浓度小于所述超结结构中第二导电类型的半导体区的掺杂浓度。
6. 如权利要求1 所述的半导体器件,
所述槽栅结构的底部与有源层底部平齐或低于有源层底部。
7. 如权利要求1 所述的半导体器件,
其中，所述小倾角离子注入是指离子注入的方向与所述有源区表面的法线方向夹角小于20度。
8. 如权利要求1 所述的半导体器件,
其中，所述高K介质的相对介电常数大于半导体漂移区的相对介电常数，所述高K介质的临界击穿电场大于30V/μm。
9. 如权利要求1 所述的半导体器件,
其中，用于所述半导体漂移区的半导体材料包括硅、锗、碳化硅或砷化镓；用于槽栅介质的绝缘材料包括二氧化硅或高K介质。
10. 如权利要求1 所述的半导体器件,
其中，所述高K介质的剖面形状是矩形、梯形或三角形。
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