[发明专利]利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法

权利要求书

1.一种利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，该方法包括：

(1)将多个表面涂硼的半导体探测器设置于电路板上，组成一维阵列，再将此一维阵列置于金属管中，构成半导体阵列管；

(2)将三根半导体阵列管按两两垂直的方式插入慢化体中；

(3)根据粒子的输运理论得到中子入射前的能量；将各个探测器获得的中子入射前的能量合并得到中子的能谱；

(4)将每个半导体探测器测量的计数经转化后得到中子注量；将中子注量值乘以相应能量的注量剂量转换系数，得到需要的中子辐射场剂量当量。

2.如权利要求1所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于：步骤(3)中，通过如下公式计算中子入射前的能量：

En=(Mn+MA)2Mn[cosθ+(MAMn)2-sin2θ]-1]]>

式中，E_n为入射中子能量，M_A和M_n分别是靶核和中子质量，θ为中子出射角。

3.如权利要求1或2所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于：步骤(4)中，半导体探测器的计数和中子注量的关系如下：

Ai=∫0∞Ri(E)Φ(E)dE-ϵi]]>i＝1，……n

式中，n为分区个数，A_i为第i个探测器计数，R_i(E)为第i个探测器的注量响应函数，Φ(E)是中子能量为E的注量率，ε_i为第i个探测器的测量不确定度。

4.如权利要求1所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的金属管为不锈钢管或铜管或钢管。

5.如权利要求1所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于：步骤(2)中所述的慢化体为聚乙烯慢化体。

6.如权利要求5所述的利用半导体阵列测量中子剂量当量的方法，其特征在于：所述的聚乙烯慢化体为球形或圆柱形。