[发明专利]一种进行圆片级电互连与引出的装置及其加工方法

权利要求书

1.一种进行圆片级电互连与引出的装置，其特征在于：所述装置包括硅圆片(1)和基板(4)，在硅圆片(1)上加工有一个以上带斜坡边缘的微电子芯片(2)、隔离槽和连接梁，所述隔离槽为微电子芯片(2)之间的镂空部位，硅圆片(1)上的微电子芯片(2)、隔离槽和连接梁以外的其他实体部位为外围框架(8)，微电子芯片(2)通过连接梁与外围框架(8)相连接；所述硅圆片(1)固定在基板(4)上；所述微电子芯片(2)上设置有芯片焊盘(52)，所述基板(4)上设置有基板焊盘(51)，所述基板焊盘(51)位于基板(4)与隔离槽相对应的位置处，所述芯片焊盘(52)和基板焊盘(51)通过圆片级PI和铜互连工艺连接形成电互连和电引出。

2.根据权利要求1所述的进行圆片级电互连与引出的装置，其特征在于：每一个微电子芯片(2)通过四个连接梁与外围框架(8)相连接。

3.根据权利要求1所述的进行圆片级电互连与引出的装置的加工方法，其特征在于：所述加工方法包括如下步骤：

(a1)在衬底硅圆片(1)上制作一个以上微电子芯片(2)，利用标准光刻和硅的各向异性腐蚀的方法刻蚀出微电子芯片(2)的斜坡面、隔离槽和连接梁，硅圆片(1)上的微电子芯片(2)、隔离槽和连接梁以外的其他实体部位为外围框架(8)；在微电子芯片(2)上制作芯片焊盘(52)；

(a2)制作基板(4)以及基板焊盘(51)，使基板焊盘(51)位于基板(4)上与隔离槽相对应的位置处；

(a3)将硅圆片(1)与基板(4)进行键合；

(a4)通过圆片级PI与铜互连工艺，在芯片焊盘(52)和基板焊盘(51)之间形成电互连和电引出，具体包括如下步骤：

(a41)在微电子芯片(2)表面涂覆一层PI层(6)后，图形化PI层(6)；

(a42)在PI外侧溅射两层UMB后，图形化UBM；

(a43)在UBM外侧镀铜层(7)，实现微电子芯片(2)与基板(4)的电互连；

(a5)对电互连结构的区域进行划片，形成具有带斜坡边缘的微电子芯片装置。

4.根据权利要求3所述的进行圆片级电互连与引出的装置的加工方法，其特征在于：所述基板(4)为玻璃基板或者硅基板。

5.根据权利要求1所述的进行圆片级电互连与引出的装置的加工方法，其特征在于：所述加工方法包括如下步骤：

(b1)在衬底硅圆片(1)上制作一个以上微电子芯片(2)，利用标准光刻和硅的各向异性腐蚀的方法刻蚀出微电子芯片(2)的斜坡面、隔离槽和连接梁，硅圆片(1)上的微电子芯片(2)、隔离槽和连接梁以外的其他实体部位为外围框架(8)；在微电子芯片(2)上制作芯片焊盘(52)；

(b2)制作基板(4)以及基板焊盘(51)，使基板焊盘(51)位于基板(4)上与隔离槽相对应的位置处；

(b3)将硅圆片(1)粘到基板(4)上；

(b4)通过圆片级PI与铜互连工艺，在芯片焊盘(52)和基板焊盘(51)之间形成电互连和电引出，具体包括如下步骤：

(b41)在微电子芯片(2)表面涂覆一层PI层(6)后，图形化PI层(6)；

(b42)在PI外侧溅射两层UMB后，图形化UBM；

(b43)在UBM外侧镀铜层(7)，实现微电子芯片(2)与基板(4)的电互连；

(b5)对电互连结构的区域进行划片，形成具有带斜坡边缘的微电子芯片装置。

6.根据权利要求5所述的具有斜倒角的芯片装置的加工方法，其特征在于：所述基板(4)为陶瓷基板或者PCB板。