[发明专利]集成电路结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路装置，特别是涉及存储器单元，甚至更特别的为配置图设计以及由鳍式场效应晶体管(FinFET)所组成的静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)单元的制作方法。

背景技术

鳍式场效应晶体管(Fin field-effect transistor，FinFET)广泛地被使用在集成电路中，用以使其栅极宽度增加超过平面晶体管(planar transistor)。鳍式场效应晶体管的一主要有利特征为可利用小芯片的区域。为了能将此利益达到最大，当使用在高密度装置时，举例来说，静态随机存取存储器阵列，鳍式场效应晶体管常被用以设计当作单鳍鳍式场效应晶体管(single-fin FinFET)。

然而，有单鳍鳍式场效应晶体管的静态随机存取存储器常受苦于低单元比的问题，像是低beta比。Beta比为下拉晶体管(pull-down transistor)驱动电流与各别传输门晶体管(pass-gate transistor)驱动电流的比值。其beta比对于元件的稳定度极为重要。大体而言，beta比最好大于1。然而，在高密度静态随机存取存储器阵列的构造中，此必要条件会导致工艺上的困难。举例来说，要在同一时间维持元件尺寸的微小以及满足该必要条件是很困难的。

发明内容

为克服现有技术的缺陷，依照本发明的一特征，一静态随机存取存储器元件包括一直鳍(straight fin)及实际上与该直鳍不相连接的一弯鳍(bendedfin)。弯鳍有一第一部分及一第二部分平行该直鳍。弯鳍的第一部分和直鳍之间的距离小于弯鳍的第二部分和直鳍之间的距离。静态随机存取存储器元件包括一下拉晶体管，该下拉晶体管包括一第一栅极长条(gate strip)的一部分，其分别形成具有直鳍及弯鳍的第一部分的第一及第二次下拉晶体管。静态随机存取存储器元件还包括一传输门晶体管，其传输门晶体管包括一第二栅极栅极长条的一部分，其形成具有直鳍的一第一次传输门晶体管。下拉晶体管包括超过传输门晶体管数目的鳍。

本发明也提供一种集成电路结构，包括：一静态随机存取存储器单元，包括一第一直鳍；一弯鳍，有一第一部分及一第二部分平行于该第一直鳍，其中该弯鳍的第一部分与该第一直鳍有一第一距离，以及该弯鳍的第二部分与该第一直鳍有一大于该第一距离的一第二距离；一该弯鳍的第三部分，不平行于该第一直鳍，与该第一部分及该第二部分互相连接；一下拉晶体管，包括一第一栅极长条的一部分，其中该第一栅极长条形成一第一及一第二次下拉晶体管，该第一及一第二次下拉晶体管分别有该第一直鳍及该弯鳍的第一部分；以及一传输门晶体管，包括一第二栅极长条的一部分，其中该第二栅极长条形成一有该第一直鳍的第一次传输门晶体管，及有该弯鳍的第二部分的一虚拟晶体管。

本发明还提供一种集成电路结构，包括：一静态随机存取存储器单元，包括一第一直鳍；一第二直鳍；实际上与该第一直鳍不相连接，但平行于该第一直鳍；一下拉晶体管，包括一第一栅极长条的一部分，其中该第一栅极长条形成一第一及一第二次下拉晶体管，该第一及一第二次下拉晶体管分别有该第一直鳍的第一部分及该第二直鳍的第一部分；以及一传输门晶体管，包括一第二栅极长条的一部分，其中该第二栅极长条形成有该第一直鳍的第二部分的该传输门晶体管的一第一次传输门晶体管，其中该第二栅极长条直接延伸于该第二直鳍的第二部分之上而形成一虚拟晶体管。

其他实施例也被公开。

本发明实施例中静态随机存取存储器元件的beta比增加至大于1，单元稳定性被改善。

附图说明

图1所示为一静态随机存取存储器元件(SRAM cell)的电路图，其中静态随机存取存储器元件的下拉晶体管为多鳍鳍式场效应晶体管。

图2所示为依照图1所示实施例的静态随机存取存储器元件的一配置图。

图3A及图3B为图2所示静态随机存取存储器元件的横切面。

图4至图7为依照另一实施例的静态随机存取存储器元件的配置图。

【主要附图标记说明】

BL、BLB～位元线；

BL-contact、BLB-contact～位元线接触点；

Cut-gate～切断门；

Dummy1、Dummy2～虚拟晶体管；

Dummy1-SD～虚拟晶体管的源极/漏极区域；

Fin1、Fin2、Fin2-1～Fin2-3、Fin2-3’、Fin3、Fin4、Fin5～鳍；

Fin-End～鳍端；