[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一静态随机存取存储器单元，包括

一第一直鳍；

一弯鳍，实际上不与该第一直鳍相连接，其中该弯鳍包括一第一部分及一第二部分平行于该第一直鳍，其中该弯鳍的第一部分与该第一直鳍有一第一距离，以及该弯鳍的第二部分与该第一直鳍有一大于该第一距离的一第二距离；

一该弯鳍的第三部分，不平行于该第一直鳍以及与该第一部分及该第二部分相互连接；

一下拉晶体管，包括一第一栅极长条的一部分，其中该第一栅极长条形成一第一及一第二次下拉晶体管，该第一及一第二次下拉晶体管分别有该第一直鳍及该弯鳍的第一部分；以及

一传输门晶体管，包括一第二栅极长条的一部分，其中该第二栅极长条形成一有该第一直鳍的第一次传输门晶体管，其中在该下拉晶体管的鳍的数目大于在该传输门晶体管的鳍的数目。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括一第二直鳍平行于该第一直鳍，其中该下拉晶体管还包括一第三次下拉晶体管，该第三次下拉晶体管包括该第二直鳍的一第一部分，其中该传输门晶体管还包括一第二次传输门晶体管，该第二次传输门晶体管包括该第二直鳍的一第二部分。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一距离实质上相等于该集成电路的形成技术所允许的一最小距离，其中该集成电路结构还包括：

一第一外延半导体区域，在该第一直鳍的一部分上方；

一第二外延半导体区域，在该弯鳍的该第一部分上方，且与该第一外延半导体区域形成一连续半导体区域；以及

一接触塞，水平地介于该第一直鳍和该弯鳍之间，其中该接触塞与该第一及该第二外延半导体区域电性地相连接。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一距离实质上相等于集成电路的形成技术所允许的一最小距离，其中该集成电路结构还包括一接触塞直接延伸，电性地与该第一直鳍及该第二弯鳍相连接。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该弯鳍的第二部分延伸至该静态随机存取存储器单元的一边界，及形成具有该第二栅极长条的一虚拟晶体管，其中该弯鳍的第二部分与一附加静态随机存取存储器单元中的附加虚拟晶体管的一附加鳍形成一连续半导体鳍。

6.一种集成电路结构，包括：

一静态随机存取存储器单元，包括

一第一直鳍；

一弯鳍，有一第一部分及一第二部分平行于该第一直鳍，其中该弯鳍的第一部分与该第一直鳍有一第一距离，以及该弯鳍的第二部分与该第一直鳍有一大于该第一距离的一第二距离；

一该弯鳍的第三部分，不平行于该第一直鳍，与该第一部分及该第二部分互相连接；

一下拉晶体管，包括一第一栅极长条的一部分，其中该第一栅极长条形成一第一及一第二次下拉晶体管，该第一及一第二次下拉晶体管分别有该第一直鳍及该弯鳍的第一部分；以及

一传输门晶体管，包括一第二栅极长条的一部分，其中该第二栅极长条形成一有该第一直鳍的第一次传输门晶体管，及有该弯鳍的第二部分的一虚拟晶体管。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，还包括一第二直鳍，其中该下拉晶体管还包括一第三次下拉晶体管，该第三次下拉晶体管包括该第二直鳍的一第一部分及该第一栅极长条的一附加部分，其中该传输门晶体管还包括一第二次传输门晶体管，该第二次传输门晶体管包括该第二直鳍的一第二部分及该第二栅极长条的一附加部分。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中该弯鳍的第二部分延伸至该静态随机存取存储器单元的一边界，以及在一附加静态随机存取存储器单元中的附加虚拟晶体管的一附加鳍形成一连续半导体鳍。

9.一种集成电路结构，包括：

一静态随机存取存储器单元，包括

一第一直鳍；

一第二直鳍；实际上与该第一直鳍不相连接，但平行于该第一直鳍；

一下拉晶体管，包括一第一栅极长条的一部分，其中该第一栅极长条形成一第一及一第二次下拉晶体管，该第一及一第二次下拉晶体管分别有该第一直鳍的第一部分及该第二直鳍的第一部分；以及

一传输门晶体管，包括一第二栅极长条的一部分，其中该第二栅极长条形成有该第一直鳍的第二部分的该传输门晶体管的一第一次传输门晶体管，其中该第二栅极长条直接延伸于该第二直鳍的第二部分之上而形成一虚拟晶体管。