[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

包括：

在绝缘基板上形成栅电极的第一工序，

以覆盖上述栅电极的形式形成栅极绝缘膜的第二工序，

形成半导体层和做为包含杂质的半导体层的杂质层的第三工序，

蚀刻上述半导体层形成激活层的第四工序，

通过蚀刻上述杂质层形成源极区域及漏极区域的第五工序；

上述第三工序中，包括以覆盖上述栅极绝缘膜的形式形成第一非晶膜的工序、和以覆盖上述第一非晶膜的形式形成包含晶相的结晶膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，包括以覆盖上述结晶膜的形式形成第二非晶膜的工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，在上述半导体层上面形成蚀刻阻止部，以覆盖上述半导体层及上述蚀刻阻止部的形式形成上述杂质层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，由等离子体化学气相沉积法形成上述半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，由高密度等离子体化学气相沉积法形成上述结晶膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述高密度等离子体化学气相沉积法，是电感耦合等离子体方式。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述高密度等离子体化学气相沉积法，是表面波等离子体方式。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述高密度等离子体化学气相沉积法，是电子回旋共振方式。

9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述等离子体化学气相沉积法中，沉积压力在0.133Pa以上且在13.3Pa以下。

10.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述等离子体化学气相沉积法中，做为原料气体应用SiH₄及H₂，上述SiH₄及H₂的流量比SiH₄/H₂，在1/30以上且在1/1以下。

11.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述等离子体化学气相沉积法中，做为原料气体只应用SiH₄。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在形成上述结晶膜之前，对上述第一非晶膜进行用氢气等离子体的表面处理。