[发明专利]互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201010509437.X | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446817A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈碧钦;何伟业;聂佳相;孔祥涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有低K介质层；
对所述半导体衬底和低K介质层进行退火工艺；
在退火后的低K介质层上形成硬掩膜层；
以所述硬掩膜层为掩膜，在退火后的衬底和低K介质层内形成互连结构。
2.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为金属或金属化合物。
3.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层利用物理气相沉积工艺制作。
4.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，在所述退火工艺完成后的1～60分钟之内制作所述硬掩膜层。
5.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火工艺或炉管退火工艺。
6.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺的气体为氩气、氦气、氮气、氙气中的一种或多种，所述退火的气体流量范围为5～1000sccm。
7.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围为300～450摄氏度。
8.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺时间为10～1000秒。
9.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺的压力为1～760托。
10.如权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述互连结构为双镶嵌结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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