[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

说明书

技术领域

本发明主要涉及半导体装置，特别涉及鳍式场效应晶体管(fin field effecttransistors；finFETs)及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业已历经快速成长。在集成电路的材料与设计等方面的技术上的进步，使得在每个集成电路的世代制造出比前一个世代还小、并更复杂的电路。例如，半导体工业热烈地致力于存储单元(memory cell)的尺寸缩减。而其中已进行的一项策略是使用多重栅极晶体管，除此之外还有鳍式场效应晶体管。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种鳍式场效应晶体管，包含：一鳍式沟道本体，位于一基底的上方；一栅极，置于上述鳍式沟道本体的上方；以及至少一源/漏极区，邻接于上述鳍式沟道本体，上述至少一源/漏极区实质上未包含任何鳍式结构。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：上述基底具有位于一第一隔离区与一第二隔离区之间的一部分，上述至少一源/漏极区具有一外延生长区，上述外延生长区置于上述基底的上述部分的上方。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：上述外延生长区外延生长区与上述基底的上述部分具有一界面，且上述界面的一中心区低于上述第一隔离区的一表面。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：上述界面的上述中心区与上述第一隔离区的上述表面的距离实质上等于上述鳍式沟道本体的高度。

在上述的鳍式场效应晶体管中，较好为：上述界面的上述中心区实质上平坦。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：(1)上述第一隔离区具有一角落，而上述第一隔离区的上述表面和上述第一隔离区与上述基底的上述部分之间的一界面在上述角落处交叉；(2)上述基底的上述部分具有一尖端，而上述基底的上述部分的一表面和上述第一隔离区与上述基底的上述部分之间的上述界面在上述尖端处交叉；以及(3)上述角落实质上邻接于上述尖端。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：上述外延生长区是用来对上述鳍式沟道本体提供应力。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：还包含一硅化物结构，其置于上述外延生长区的上方。

本发明又提供一种鳍式场效应晶体管，包含：一鳍式沟道本体，位于一基底的上方，上述基底具有位于一第一隔离区与一第二隔离区之间的一部分；一栅极，置于上述鳍式沟道本体的上方；以及至少一源/漏极区，邻接于上述鳍式沟道本体，上述至少一源/漏极区包含：一外延生长区，置于上述基底的上述部分的上方，其中上述外延生长区与上述基底部分具有一界面，且上述界面的一中心区低于上述第一隔离区的一表面；及一硅化物结构，置于上述外延生长区的上方。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：上述界面的上述中心区与上述第一隔离区的上述表面之间的距离等于上述鳍式沟道本体的高度。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：上述界面的上述中心区是实质上平坦的。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：(1)上述第一隔离区具有一角落，而上述第一隔离区的上述表面和上述第一隔离区的一侧壁在上述角落处交叉；(2)上述基底的上述部分具有一尖端，而上述基底的上述部分的一表面和上述基底的上述部分的一侧壁在上述尖端处交叉；以及(3)上述角落实质上邻接于上述尖端。

在上述鳍式场效应晶体管中，较好为：上述外延生长区是得以对上述鳍式沟道本体提供应力。

本发明是又一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包含：在一基底的上方形成一鳍式沟道本体；在上述鳍式沟道本体的上方形成一栅极；以及形成至少一源/漏极区，其邻接于上述鳍式沟道本体，上述至少一源/漏极区实质上未包含任何鳍式结构。

在上述鳍式场效应晶体管的形成方法中，上述鳍式沟道本体的形成较好为包含：(1)在上述基底的上方形成一鳍状物；以及(2)移除上述鳍状物的至少一末端部分，以暴露出为一隔离结构所围绕的上述基底的一部分的一表面，并形成上述鳍式沟道本体。

在上述鳍式场效应晶体管的形成方法中，较好为还包含移除上述基底的一部分，其中上述基底的上述部分的上述暴露的表面的一中心区低于上述隔离结构的一表面。

在上述鳍式场效应晶体管的形成方法中，较好为：上述基底的上述暴露的表面的上述中心区与上述隔离结构的上述表面之间的距离，实质上等于上述鳍式沟道本体的高度。

在上述鳍式场效应晶体管的形成方法，较好为还包含使上述基底的上述暴露的表面经过热能并通入氢气后，使得上述表面重流，而使上述基底的上述暴露的表面的上述中心区是实质上平坦的。