[发明专利]后栅工艺中金属栅的制作方法有效
| 申请号： | 201010500383.0 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437032A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 项金娟;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工艺 金属 制作方法 | ||
1.一种后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底具有栅沟槽；
在所述衬底表面进行至少一次金属层淀积-退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属层；
去除所述栅沟槽之外的金属层。
2.如权利要求1所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，在所述衬底表面进行至少一次金属层淀积-退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属的步骤具体包括：
在所述衬底表面淀积金属层，以填充所述栅沟槽；
对所述金属层进行退火，以修正栅沟槽内的填充形貌。
3.如权利要求2所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，所述金属层材料为Al或TiAlx。
4.如权利要求2所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，所述金属层包括：
至少两种元素金属层，各所述元素金属层顺次堆叠且由下至上熔点逐渐减小。
5.如权利要求1所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，在所述衬底表面进行至少一次金属层淀积-退火处理具体包括以下步骤：
在所述衬底表面淀积子金属层，
对所述子金属层进行退火，以修正所述子金属层的填充形貌，从而完成一次淀积-退火处理周期；
至少执行两次所述淀积-退火处理周期。
6.如权利要求5所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，所述子金属层材料为Al或TiAlx。
7.如权利要求5所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，所述子金属层包括：
至少两种元素金属层，各所述元素金属层顺次堆叠且由下至上熔点逐渐减小。
8.如权利要求4或7所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，各所述元素金属层材料由下至上分别为Ti和Al。
9.如权利要求2或5所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，所述退火在N2或He中进行。
10.如权利要求2或5所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为300℃～600℃。
11.如权利要求1所述后栅工艺中金属栅的制作方法，其特征在于，金属层淀积-退火处理中采用PVD或CVD工艺淀积所述金属层。
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