[发明专利]半导体装置和检测半导体装置的特性退化的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

设定值存储单元，所述设定值存储单元存储基于半导体装置的初始特性值确定的设定值；和

检测器，所述检测器基于规定时刻的所述半导体装置的特性值和存储在所述设定值存储单元中的设定值来检测所述半导体装置的特性退化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述检测器是导通电阻检测器，所述导通电阻检测器检测被包括在所述半导体装置中的半导体器件的导通电阻。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述导通电阻检测器包括：

第一电阻器，所述第一电阻器具有在第一结点处与所述半导体器件的源极相连接的一端和与第二结点相连接的另一端；

第一可变电阻器，所述第一可变电阻器具有与所述半导体器件的漏极相连接的一端和与第三结点相连接的另一端；

第二电阻器，所述第二电阻器具有与所述第三结点相连接的一端和与所述第二结点相连接的另一端；以及

第一比较器，所述第一比较器接收所述第一结点的电压值和所述第三结点的电压值，并且基于所述第一结点的电压值和所述第三结点的电压值之间的电势差输出信号。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述检测器是栅极泄漏检测器，所述栅极泄漏检测器检测被包括在所述半导体装置中的半导体器件的栅极泄漏。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述栅极泄漏检测器包括：

第三电阻器，所述第三电阻器与所述半导体器件的栅极相连接；

第一运算放大器，所述第一运算放大器接收所述第三电阻器的两端之间的电势差并且基于所述电势差输出电压信号；以及

第二比较器，所述第二比较器接收基准电压和所述第一运算放大器的电压信号，并且基于所述第一运算放大器的电压信号和所述基准电压之间的比较结果输出信号。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述检测器是消耗电流检测器，所述消耗电流检测器检测所述半导体装置的消耗电流。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述消耗电流检测器包括：

第四电阻器，所述第四电阻器与所述半导体装置的内部基准线相连接；

第二运算放大器，所述第二运算放大器接收所述第四电阻器的两端之间的电势差，并且基于该电势差输出电压信号；以及

第三比较器，所述第三比较器接收基准电压和所述第二运算放大器的电压信号，并且基于所述第二运算放大器的电压信号和所述基准电压之间的比较结果输出信号。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

通过使用包括第一恒压源和划分所述第一恒压源的电压的第五电阻器和第二可变电阻器在内的电路来设置所述基准电压。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述检测器是截止泄漏检测器，所述截止泄漏检测器检测半导体器件的截止泄漏。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述截止泄漏检测器包括：

第六电阻器，所述第六电阻器与所述半导体器件的源极相连接；

第三运算放大器，所述第三运算放大器接收所述第六电阻器的两端之间的电势差，并且基于该电势差输出信号；

第一晶体管，所述第一晶体管具有与所述第三运算放大器的输出相连接的栅极和与所述第四结点相连接的源极；以及

第一电流镜，所述第一电流镜具有与所述第四结点相连接的第一电流路径和与基准电流流经的第五结点相连接的第二电流路径。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中通过使用第二电流镜设置所述基准电流，所述第二电流镜具有与第二恒压源和第三可变电阻器相连接的第三电流路径和所述第二电流路径。