[发明专利]半导体制造方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造方法及系统，尤其涉及可对新出带(tapout)产品进行先进工艺控制的半导体制造方法及系统。

背景技术

先进工艺控制(advanced process control，APC)，是一种用来改善半导体集成电路(integrated circuit，IC)制造品质及效率的技术，特别是针对小尺寸高密度半导体IC。半导体工艺中，当使用先进工艺控制时，APC模块中参数的初始值可用来启动该APC程序。在现有的方法中，APC模块的参数初始值是用工程师手动提供。工艺工程师会依据经验或最佳的猜测估(best guess estimate)，而手动指派该初始值。然而，现有的方法受限于数种问题。其中之一即是：猜测评估的结果有很大的机率会远离目标值。举例而言，多晶硅蚀刻模块常只有50％更低的成功率。若第一次试产(pilot run)失败了，则第二次试产就会增加制造成本。在其他情况中，必须依靠工艺工程师代入更多的信息或耗费更多的时间，始得以调到较佳的APC模块初始值，同样造成时间的损失及制造成本的增加。因此，必须要有一种能持续改善半导体先进工艺控制的处理工具。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供一种半导体制造方法，该半导体制造方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。

本发明另提供一种半导体制造方法，该半导体制造方法包括：提供与一新产品及一制造程序相关的制造数据；依据从该制造数据取得的一产品参数搜寻半导体厂的既存产品；使用该相关产品的对应数据判断该新产品的一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的处理模型；使用该处理模型调整与该制造程序相关的一处理配方；以及使用该处理配方对一半导体晶片执行该制造程序。

本发明更提供一种半导体制造系统，该半导体制造系统包括：一工艺工具，用以对半导体晶片执行一制造程序；一先进工艺控制(advanced process control，APC)模块，用以对该制造程序实施一处理模型；一新出带(NTO)模块，耦接至该APC模块，用以依据一敏感产品参数判断该处理模型的一参数的一初始值。

本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。

附图说明

图1为半导体处理系统的一实施例示意图；

图2为依照本发明的NTO方法的流程图；

图3a至图3d为依据本发明各实施例该的APC模块与该NTO模块间互动机制的方框示意图；

图4为一集成电路制造系统的示意图。

其中，附图标记说明如下：

102～处理工具；

104～半导体晶片；

106～度量衡工具；

108～噪声；

110～先进工艺控模块；

112～处理模型；

114～比较模块；

116～过滤模块；

118～前授因数与参数；

120～NTO模块；

122～NTO数据库；

202～218～N～实体。

具体实施方式

下文为介绍本发明的最佳实施例。各实施例用以说明本发明的原理，但非用以限制本发明。本发明的保护范围当以随附的权利要求为准。

参照图1，其为半导体处理系统100的一实施例示意图。该半导体处理系统100及实施于该系统100的半导体处理方法将于下文详述。该半导体处理系统100包括一示范的处理工具102，用以对一个或一个以上的半导体晶片104执行半导体制造程序。该处理工具102所执行的半导体制造程序包括：沉积、热氧化、植入、微影曝光(lithography exposure)、或离子注入。在一实施例中，该处理工具102为一蚀刻工具，用以蚀刻多晶硅以形成半导体晶片上的栅电极。在另一实施例中，该处理工具102为一蚀刻工具，用以在半导体基质上蚀刻出沟槽以形成浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)。在另一实施例中，该蚀刻工具用以蚀刻出一介电层(dielectric layer)以形成沟槽并进而在镶嵌工艺(damascene process)中形成一内部连结的结构。