[发明专利]半导体制造方法及系统

权利要求书

1.一种半导体制造方法，包括：

提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；

依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；

使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；

将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；

使用该处理模型调整一处理配方；以及

使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该产品为一新产品或一久未生产的产品。

3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该产品数据是从包括一配方名称、一客户码、一产品识别、一有效时间、一敏感产品参数明细、一显影后检视标的、蚀刻后检视标的、及上述组合的群组所选出的一形态。

4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该敏感产品参数为一导线图案密度。

5.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该制造程序包括一蚀刻程序。

6.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该制造程序为从包括蚀刻、沉积、热氧化、离子注入、微影程序、以及化学机械平坦化的群组所选出的一程序。

7.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中对所述多个既存产品进行的搜寻包括：

依据一第一范围的该敏感产品参数对所述多个既存产品执行一第一搜寻作业；以及

依据一第二范围的该敏感产品参数对所述多个既存产品执行一第二搜寻作业。

8.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中对所述多个既存产品的搜寻包括另外依据其他产品参数搜寻所述多个既存产品。

9.如权利要求8所述的半导体制造方法，其中该其他产品参数为一配方名称。

10.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该初始值的判断包括：若对该既存产品进行搜寻时有多个相关产品在被识别出，则应用一平均程序。

11.一种半导体制造方法，包括：

提供与一新产品及一制造程序相关的制造数据；

依据从该制造数据取得的一产品参数搜寻半导体厂的既存产品；

使用该相关产品的对应数据判断该新产品的一处理模型参数的一初始值；

将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的处理模型；

使用该处理模型调整与该制造程序相关的一处理配方；以及

使用该处理配方对一半导体晶片执行该制造程序。

12.如权利要求11所述的半导体制造方法，其中该产品参数包括对该制造程序的一产品参数敏感度。

13.如权利要求11所述的半导体制造方法，其中该制造程序包括一蚀刻程序。

14.如权利要求11所述的半导体制造方法，其中该产品参数包括该半导体晶片的一金属层的一导线图案密度，而该制造程序应用于该金属层。

15.一种半导体制造系统，包括：

一工艺工具，用以对半导体晶片执行一制造程序；

一先进工艺控制模块，用以对该制造程序实施一处理模型；

一新出带(NTO)模块，耦接至该APC模块，用以依据一敏感产品参数判断该处理模型的一参数的一初始值。

16.如权利要求11所述的半导体制造系统，还包括一度量衡工具，用以量测一个或一个以上的该半导体晶片。

17.如权利要求16所述的半导体制造系统，还包括一滤波器，用以消除从该度量衡工具得到的一参数与从该处理模型得到的一对应值两者间的比较结果所产生的噪声。

18.如权利要求15所述的半导体制造系统，其中该NTO模块内嵌于该APC模块。

19.如权利要求15所述的半导体制造系统，其中该NTO模块与该APC模块整合在一并行模式或串行模式。

20.如权利要求15所述的半导体制造系统，其中该处理工具为一蚀刻工具。