[发明专利]具有对准标记的装置及用于制作半导体组件的方法

权利要求书

1.一种具有对准标记的装置，其特征在于，该对准标记包括：

一第一部分，包括多个第一特征部，每一该些第一特征部具有一第一尺寸和一第二尺寸，该第一尺寸在一第一方向上测得，该第二尺寸在一第二方向上测得，该第二方向垂直于该第一方向，该第二尺寸大于该第一尺寸；以及

一第二部分，包括多个第二特征部，每一第二特征部具有一第三尺寸和一第四尺寸，该第三尺寸在该第一方向上测得，该第四尺寸在该第二方向上测得，该第四尺寸小于该第三尺寸；

其中，在该第一方向和第二方向上，至少一个该第二特征部被多个第一特征部部分地包围着。

2.根据权利要求1所述的具有对准标记的装置，其特征在于，该装置还包括一半导体组件，其具有一第一层和一第二层，该第二层不同于该第一层，该第一部分和第二部分分别设置于该半导体组件的该第一层和第二层内。

3.根据权利要求1所述的具有对准标记的装置，其特征在于，该装置还包括一半导体组件，其具有一层，该第一部分和第二部分都设置于该半导体组件的该层内。

4.根据权利要求1所述的具有对准标记的装置，其特征在于，该装置还包括一第一掩膜和一第二掩膜，该第一部分和第二部分分别设置于该第一掩膜和第二掩膜内。

5.根据权利要求4所述的具有对准标记的装置，其特征在于：

该多个第一特征部具有该第一方向上测得的第一间距；

该多个第二特征部具有该第二方向上测得的第二间距；

该第一掩膜包括一第三特征部，该第三特征部具有该第一方向上测得的一第一尺寸；

该第二掩膜包括一第四特征部，该第四特征部具有该第二方向上测得的一第二尺寸；

该第一间距与该第一尺寸相关；以及

该第二间距与该第二尺寸相关。

6.根据权利要求5所述的具有对准标记的装置，其特征在于，该第一间距等于该第一尺寸的两倍，且该第二间距等于该第二尺寸的两倍。

7.根据权利要求1所述的具有对准标记的装置，其特征在于，该多个第一特征部具有一第一间距和一第二间距，该第一间距是该第一方向上所测得，该第二间距是该第二方向上所测得，该第一间距和第二间距均与半导体制造技术的一极限尺寸相关，该极限尺寸是该第一方向和第二方向之一所测得。

8.根据权利要求7所述的具有对准标记的装置，其特征在于，该第一间距和第二间距均等于该极限尺寸的两倍。

9.根据权利要求1所述的具有对准标记的装置，其特征在于，在该第一方向和第二方向上，至少一个该第二特征部被多个第一特征部完全地包围着。

10.一种用于制造半导体组件的方法，其特征在于，包括：

提供一基材；

在该基材中形成一对准标记的一第一部分，该第一部分包括多个第一特征部，每一第一特征部具有一第一尺寸和一第二尺寸，该第一尺寸是一第一方向上所测得，该第二尺寸是一第二方向上所测得，该第二方向垂直于该第一方向，该第二尺寸大于该第一尺寸；

在该基材中形成该对准标记的一第二部分，该第二部分包括多个第二特征部，每一第二特征部具有一第三尺寸和一第四尺寸，该第三尺寸是该第一方向上所测得，该第四尺寸是该第二方向上所测得，该第四尺寸小于该第三尺寸；

其中，形成该第一部分和第二部分的步骤以一方式进行，从而使至少一个该第二特征部在该第一方向和第二方向上被多个第一特征部部分地包围着。

11.根据权利要求10所述的用于制作半导体组件的方法，其特征在于，提供该基材的步骤被实施，从而使该基材包括一第一层和一第二层，形成该第一部分的步骤包括在该第一层中形成所述多个第一特征部，且形成该第二部分的步骤包括在该第二层中形成所述多个第二特征部。

12.根据权利要求10所述的用于制作半导体组件的方法，其特征在于，形成该第一部分的步骤以及形成该第二部分的步骤被实施，从而使该第一部分和第二部分形成于该基材的单一层内。