[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，广泛应用于各种领域，例如液晶电视、高清晰度数字电视、电脑、手机、PDA等。其中，TFT-LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术结合的一种技术，通常是在大面积的玻璃上进行薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列的加工，并将阵列基板与带彩色滤色膜的彩膜基板，形成一个液晶盒，最终制作得到液晶显示器。

图1为现有技术阵列基板的结构示意图；图2为现有技术阵列基板对应的电路示意图。如图1和图2所示，现有TFT-LCD中的阵列基板包括纵横交叉设置的数据线11和栅线12，数据线11和栅线12限定的像素单元13内设置有像素电极14和像素电极开关15，该像素电极开关15为设置在数据线11和栅线12交叉处的薄膜晶体管，像素电极开关15的栅极与栅线12连接，源极和漏极分别与数据线11和像素电极14连接。其中，TFT-LCD中的每个像素从结构上可以简化为像素电极与共同电极之间夹设有一层液晶，从电学的角度可以将一个像素看成是一个电容，像素电极开关就可以看作是对电容进行充电的开关，具体可参见图2中所示，TFT-LCD工作时，通过为栅线12送入电压，即可使得与栅线12连接的栅极控制的薄膜晶体管打开，然后依次从数据线11输入数据电压，即可实现对各像素电极14，即电容进行充电，由于夹在液晶层上的电压可存储于各像素对应的电容内，因此液晶层可稳定的工作。

图3为TFT-LCD采用点反转驱动方式驱动时，阵列基板上像素电极的电荷极性示意图；图4为TFT-LCD采用列反转驱动方式驱动时，阵列基板上像素电极的电荷极性示意图。TFT-LCD工作时，为避免液晶材料产生极化而造成永久性的破坏等，需要在每隔预定时间内对施加在液晶两侧的电压的极性进行点反转或列反转，其中图3中的左右侧视图分别为TFT-LCD工作时采用点反转驱动前后阵列基板上各像素电极上电荷极性示意图，图4中的左右侧视图分别为TFT-LCD工作时采用列反转驱动前后阵列基板上各像素电极上电荷极性示意图，可以看出，采用点反转或列反转驱动方式驱动TFT-LCD工作时，阵列基板上处于同一行上的相邻两个像素电极的电压极性是相反的，且每隔预定时间就需要对各像素电极上的电荷极性进行反转，而在对像素电极上的电压进行反转时，由于需要中和掉反转前像素电极上的电荷，因此，TFT-LCD上的共享电压驱动和源极驱动器的电流消耗将会较大，使得TFT-LCD的耗电较大。

综上可以看出，现有阵列基板工作时，在对阵列基板上的像素电极上的电压反转时，中和像素电极上的电压时需要消耗大量的电能，使得TFT-LCD具有较大的能耗。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法、液晶面板，可有效克服现有TFT-LCD工作时能耗较大的问题，减少TFT-LCD工作时的能耗。

本发明提供一种阵列基板，包括：交叉形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素单元内设置有像素电极和作为像素电极开关的第一薄膜晶体管；控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成栅线、数据线、作为像素电极开关的第一薄膜晶体管和像素电极的步骤，其中：

在形成所述第一薄膜晶体管的同时，对应形成作为电荷分享开关的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。

本发明提供一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板为采用上述的阵列基板。