[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：交叉形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素单元内设置有像素电极和作为像素电极开关的第一薄膜晶体管；其特征在于，控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅线为与所述第一栅线相邻的栅线。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，控制首行的多个像素电极的栅线之前，设置有与位于首行像素区域内第二薄膜晶体管的栅极连接的栅线。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于首行的第二薄膜晶体管的栅极与位于尾行的栅线连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的第二源极、第二栅极和第二漏极分别与所述第一薄膜晶体管的第一源极、第一栅极和第一漏极同层设置。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用点反转或列反转驱动方式驱动。

7.一种阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成栅线、数据线、作为像素电极开关的第一薄膜晶体管和像素电极的步骤，其特征在于，

在形成所述第一薄膜晶体管的同时，对应形成作为电荷分享开关的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接，且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在基板上形成栅线、数据线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及像素电极的步骤包括：

在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅扫描线、第一栅极和第二栅极的图形；

在基板上继续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和数据线金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、第一有源层和第二有源层的图形，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一栅极、第一源极、第一有源层和第一漏极构成所述第一薄膜晶体管，所述第二栅极、第二源极、第二有源层和第二漏极构成所述第二薄膜晶体管；

在基板上继续形成钝化层薄膜，通过构图工艺在所述第一漏极、第二漏极和第二源极处形成钝化层过孔图形，所述钝化层过孔包括第一漏极过孔、第二漏极过孔和第二源极过孔；

在基板上继续沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过第一漏极过孔和第一漏极连接，且所述像素电极还通过第二漏极过孔和第二漏极连接，或者所述像素电极还通过第二源极过孔和第二源极连接。

9.一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板为采用权利要求1～6任一所述的阵列基板。