[发明专利]SOC芯片器件有效
申请号: | 201010178082.0 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN101834177A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 张亮;罗升龙 | 申请(专利权)人: | 锐迪科科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/52;H01L23/49 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 香港花园*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | soc 芯片 器件 | ||
1.一种SOC芯片器件,其特征在于,在所述SOC芯片器件封装内,还包括SDRAM芯片,所述SDRAM芯片与所述SOC芯片通过金线相连接。
2.根据权利要求1所述的SOC芯片器件,其特征在于,所述SDRAM芯片数据信号接口与封装的管脚之间还设置有上升下降时间控制电路,所述上升下降时间控制电路中包括开关电路,所述开关电路从电源端到接地端依次包括第一电阻、第一开关、第一PMOS管、第二开关和第二电阻,所述第一开关连接到第一PMOS管的源极,所述第二开关连接到第一PMOS管的栅极和漏极,所述第一PMOS管的栅极连接所述封装的管脚,所述第一PMOS管的源极通过一个电容接地,该第一PMOS管的源极还连接第二PMOS管的栅极,所述第二PMOS管的漏极和衬底端接地,第二PMOS管的源极连接所述SDRAM芯片与封装的管脚相对应的数据信号接口。
3.根据权利要求2所述的SOC芯片器件,其特征在于,所述上升下降时间控制电路中包括多组并联连接的开关电路,各个开关电路中第一PMOS管的栅极都连接到所述封装的管脚,最后一个开关电路的第一PMOS管的源极连接所述电容。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的SOC芯片器件,其特征在于,所述SDRAM芯片被设置在SOC芯片上数字电路部分的区域。
5.根据权利要求1~3中任意一项所述的SOC芯片器件,其特征在于,所述SOC芯片中,还包括射频模块,所述射频模块被设置在芯片的角落。
6.根据权利要求1~3中任意一项所述的SOC芯片器件,其特征在于,所述SDRAM芯片与所述SOC芯片通过尽可能短的金线相连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于锐迪科科技有限公司,未经锐迪科科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010178082.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件结构及其形成方法
- 下一篇:影像模块及其制作及清洁方法
- 同类专利
- 专利分类