[发明专利]使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积

权利要求书

1.一种沉积氧化硅层于一基材上的系统，该系统至少包含：

一沉积室，其内撑托该基材；

一远程等离子体产生系统，其连接至该沉积室，其中该等离子体产生系统是用来产生一氧原子前驱物；

一硅前驱物源，用以供应一硅前驱物至该沉积室；以及

一前驱物操作系统，用以引导该氧原子前驱物与该硅前驱物流入该沉积室，其中该前驱物操作系统防止该氧原子前驱物与该硅前驱物进入该沉积室前先行混合。

2.如权利要求1所述的系统，其中该远程等离子体产生系统为一高密度等离子体产生系统。

3.如权利要求2所述的系统，其中该系统包含一氩气源和一氧气分子源，并且该氩气源和该氧气分子源耦接至该远程等离子体产生系统。

4.如权利要求1所述的系统，其中来自一载气源的一载气在进入该沉积室之前先与该硅前驱物混合。

5.如权利要求1所述的系统，其中该前驱物操作系统包含形成于该沉积室中的一第一入口和一第二入口，其中该第一入口与该第二入口互相垂直，并且该氧原子前驱物从该第一入口进入该沉积室，该硅前驱物从该第二入口进入该沉积室。

6.如权利要求1所述的系统，其中该系统包含一退火系统，用以退火该氧化硅层。

7.如权利要求6所述的系统，其中该退火系统包含热退火系统、蒸气退火系统、等离子体退火系统、紫外光退火系统、电子束退火系统或微波退火系统。

8.如权利要求6所述的系统，其中该氧化硅层是在该沉积室中进行退火。

9.如权利要求1所述的系统，其中该系统包含一高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)系统。