[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件，尤其涉及一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode；LED)在高功率照明的运用上，除了须持续提升亮度外，散热问题是另一亟需解决的主要问题。当发光二极管的光取出效率不佳时，无法穿出发光元件(发光二极管及其封装体)的光线会转换为热能。若无法有效地将此热能导出发光元件，发光二极管在操作时温度会上升，因而造成元件可靠性问题。

为解决发光元件的散热问题，对发光二极管进行封装时，目前常采用以覆晶接合(flip-chip bonding)取代传统的导线接合(wire bonding)。覆晶接合即直接将发光二极管芯片面朝下用焊料或者导电胶接合至一导热基板上。此种方式可使发光二极管的散热性能得到提升。然而，现有发光二极管的芯片较薄，在覆晶接合或后续加工过程中容易碎裂。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种较高强度的发光二极管，并提供一种该发光二极管的制造方法。

一种发光二极管，包括一发光二极管芯片，该发光二极管芯片包括第一半导体层、第一电极、活性层、第二半导体层及第二电极，该活性层设于该第一半导体层上，该第二半导体层形成于该活性层上，该第二电极设于该第二半导体层上，由该第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极构成一叠层，其中该叠层的中部设有盲孔，该盲孔依次贯穿第二电极、第二半导体层及活性层，并延伸至该第一半导体层内，该第一电极设于第一半导体层上并对应设于该盲孔内，该第一电极上设有一第一支撑层，该第二电极上设有一第二支撑层，该第二支撑层与第一支撑层相间隔。

一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一外延片，该外延片包括一基底及设于该基底上的一外延层，该外延层包括依次设于该基底上的一第一半导体层、一活性层及上第二半导体层，该外延片上开设有至少一盲孔，该盲孔依次贯穿第二半导体层及活性层，并延伸至该第一半导体层内；在该盲孔内于第一半导体层上制作第一电极，并于该第二半导体层上制作第二电极；以及在第一电极上制作一镀层以作为第一支撑层，并在第二电极上制作一镀层为作为第二支撑层。

与现有技术相比，上述发光二极管中，通过在第一电极及第二电极上分别形成第一支撑层与第二支撑层，可提高发光二极管芯片的强度。因此，当发光二极管芯片采用覆晶方式安装于导热基板上时，不易碎裂。另外，该第一支撑层以及该第二支撑层还可以增加发光二极管的散热功能。

附图说明

下面参照附图，结合实施例对本发明作进一步描述。

图1为本发明发光二极管第一实施例的剖视结构示意图。

图2为用于制造图1所示发光二极管的一外延片的俯视图。

图3为图2所示外延片沿III-III线的剖视图。

图4为图3所示外延片上形成第二电极后的剖视结构示意图。

图5为于图4所示外延片的盲孔内及第二电极上设置一绝缘层后的剖视结构示意图。

图6为图5的俯视图。

图7为于图5所示外延片的盲孔内形成第一电极后的剖视结构示意图。

图8为于图7所示发光二极管芯片的第一电极及第二电极上分别形成支撑层后的剖视结构示意图。

图9为图8的俯视图。

图10为将图1所示发光二极管的基底自第一半导体层上移除后的剖视结构示意图。

图11为图10所示发光二极管经表面粗化后的剖视结构示意图。

图12为本发明发光二极管第二实施例的剖视结构示意图。

图13为本发明发光二极管第三实施例的剖视结构示意图。

图14为用于制造图13所示发光二极管的一外延片的俯视图。

图15为于图14所示外延片上形成绝缘层后的俯视图。

图16为图13所示发光二极管中的发光二极管芯片倒装于导热基板之前的俯视图。

图17为图13所示发光二极管去除基底并经表面粗化处理后的剖视结构示意图。

主要元件符号说明

导热基板        10、10a、40

发光二极管      100、200

外延片          101、401

外延层          102

第一接合垫      11、41

第二接合垫      12、42

发光二极管芯片  20、50

基底            21、51

第一半导体层    22、52