[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010165942.7 申请日: 2010-05-07
公开(公告)号: CN102237473A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 洪梓健;沈佳辉 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,包括一发光二极管芯片,该发光二极管芯片包括第一半导体层、第一电极、活性层、第二半导体层及第二电极,该活性层设于该第一半导体层上,该第二半导体层形成于该活性层上,该第二电极设于该第二半导体层上,由该第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极构成一叠层,其特征在于:该叠层的中部设有盲孔,该盲孔依次贯穿第二电极、第二半导体层及活性层,并延伸至该第一半导体层内,该第一电极设于第一半导体层上并对应设于该盲孔内,该第一电极上设有一第一支撑层,该第二电极上设有一第二支撑层,该第二支撑层与第一支撑层相间隔。

2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该第一电极的周面与叠层之间设有一绝缘层,该绝缘层将第一电极与叠层的活性层、第二半导体层及第二电极相绝缘。

3.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:该绝缘层设于盲孔的周面,绝缘层的外端周缘向外延伸以部分覆盖第二电极。

4.如权利要求1至3项中任意一项所述的发光二极管,其特征在于:该第一支撑层向第一电极延伸形成一接合部,该接合部覆盖于第一电极的周面。

5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该盲孔的数量为两个以上,该第一电极的数量与该第一电极的盲孔相等并对应设于所述盲孔内,该第一支撑层覆盖全部的第一电极。

6.如权利要求5所述的发光二极管,其特征在于:该发光二极管上设有一绝缘层,该绝缘层包括位于第一电极的周面与对应盲孔的周面之间的若干第一部分、以及位于第二电极与第一支撑层之间的一第二部分,该绝缘层的第一部分将第一电极与叠层的活性层、第二半导体层及第二电极相绝缘,该绝缘层的第二部分将第一支撑层与第二电极相绝缘。

7.如权利要求5或6所述的发光二极管,其特征在于:该第一支撑层对应每一第一电极向相应的盲孔内延伸形成一接合部,该接合部覆盖于第一电极的周面。

8.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该第一半导体层具有背向活性层的一出光侧,该出光侧形成有一具凹凸结构的粗化面。

9.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:还包括一导热基板,该发光二极管芯片采用覆晶方式安装于该导热基板上,且该导热基板上设有一第一接合垫及一第二接合垫,该第一接合垫及第二接合垫分别与第一支撑层及第二支撑层接合。

10.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:还包括一导热基板,该发光二极管芯片采用覆晶方式安装于该导热基板上,且该导热基板上设有电路结构,该电路结构与该第一支撑层及该第二支撑层接合。

11.一种发光二极管的制造方法,包括如下步骤:

提供一外延片,该外延片包括一基底及设于该基底上的一外延层,该外延层包括依次设于该基底上的一第一半导体层、一活性层及上第二半导体层,该外延片上开设有至少一盲孔,该盲孔依次贯穿第二半导体层及活性层,并延伸至该第一半导体层内;

在该盲孔内于第一半导体层上制作第一电极,并于该第二半导体层上制作第二电极;以及

在第一电极上制作一镀层以作为第一支撑层,并在第二电极上制作一镀层为作为第二支撑层。

12.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:还包括在制作该第一支撑层及该第二支撑层之前于盲孔的周面设置一绝缘层的步骤,且该绝缘层的顶端周缘向外延伸以部分覆盖该第二电极,该第一支撑层向盲孔内延伸形成一接合部,该接合部位于该绝缘层与第一电极之间。

13.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:还包括在该第一半导体层形成一出光侧,该出光侧具凹凸结构的粗化面。

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