[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的氧化物层；

所述氧化物半导体层上的包含绝缘氧化物的氧化物半导体层；以及

所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层，

其中，所述氧化物层和所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层包括Zn，

所述氧化物层和所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层不包括铟，

所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层具有其导电率比所述氧化物层的导电率低的非晶结构，

并且，所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层电连接到所述源电极层及所述漏电极层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述绝缘氧化物是氧化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中通过使用包含2.5wt％以上且20wt％以下的SiO₂的靶材的溅射法形成所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中通过使用包含7.5wt％以上且12.5wt％以下的SiO₂的靶材的溅射法形成所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物层是氧化物半导体层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物层具有多晶结构。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层包括所述源电极层和所述漏电极层之间的其厚度比与所述源电极层或所述漏电极层重叠的区域的厚度薄的区域。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述栅电极层具有比所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层及所述氧化物层的沟道方向的宽度宽的沟道方向的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中在所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层的端部下形成空洞。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物层的端部被所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层覆盖。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层包括多个层，

并且通过使用包含比形成所述多个层的下层的靶材多的绝缘氧化物的靶材的溅射法形成所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层中的多个层的上层。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物层和所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层不包括稀有金属。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述氧化物层只包括Zn-O类氧化物或Sn-Zn-O类氧化物。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层只包括Zn-O类氧化物半导体或Sn-Zn-O类氧化物半导体。

15.根据权利要求1所述的半导体装置还包括：

设置在所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层上的具有n型导电型的缓冲层，在该缓冲层上设置所述源电极层及所述漏电极层。

其中所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层通过所述缓冲层电连接到所述源电极层及所述漏电极层。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，

其中所述缓冲层包括包含Zn的氧化物半导体层。