[发明专利]基岛露出及下沉基岛露出型引线框结构及其先刻后镀方法

权利要求书

1.一种基岛露出型及下沉基岛露出型引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于：所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第二基岛(1.2)中央区域下沉，在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将引脚下部外围、引脚(2)与第一基岛(1.1)下部、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)下部、第二基岛(1.2)与引脚(2)下部以及引脚(2)与引脚(2)下部连接成一体，且使所述两组基岛(1)和引脚(2)背面尺寸小于两组基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。

2.一种制造如权利要求1所述的基岛露出型及下沉基岛露出型引线框结构的先刻后镀方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、贴膜作业

利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，

步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜

利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域，

步骤四、金属基板正面半蚀刻

对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛和引脚，所述基岛有二组，一组为第一基岛，另一组为第二基岛，

步骤五、金属基板正背面揭膜作业

将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除，

步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂

在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，填涂上无填料的软性填缝剂，并同时进行烘烤，促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的塑封料，

步骤七、金属基板正背面贴膜作业

利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，

步骤八、去除部分光刻胶膜

在金属基板的正面及背面去除部分光刻胶膜，露出第一基岛、第二基岛和引脚的背面以及第一基岛和引脚的正面，

步骤九、镀金属层

在步骤八露出的第一基岛、第二基岛和引脚的背面镀上第二金属层，在第一基岛和引脚的正面镀上第一金属层，

步骤十、去除金属基板背面部分光刻胶膜

去除金属基板背面部分光刻胶膜，以露出金属基板背面引脚外围的区域、引脚与第一基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛正面中央的区域、第二基岛与引脚之间的区域以及引脚与引脚之间的区域，

步骤十一、金属基板背面半蚀刻

在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤四半蚀刻区域余下部分的金属再次进行蚀刻工艺作业，将所述余下部分的金属全部蚀刻掉，同时对所述第二基岛正面中央的区域进行半蚀刻工艺作业，在第二基岛正面形成凹陷的半蚀刻区域，使第二基岛正面中央区域下沉，且使所述两组基岛和引脚背面尺寸小于两组基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构，

步骤十二、金属基板正背面揭膜作业

将金属基板正面和背面余下的光刻胶膜揭除。