[发明专利]一种有机阻变存储器及制备方法

权利要求书

1.一种有机阻变存储器，包括衬底，衬底上设有底电极、中间有机功能层和顶电极，其 特征在于，所述顶电极和底电极均为W、Pt或Au，所述中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞 菁膜，掺杂的金属为Al、Hf或Mg中的一种，掺杂的金属的质量百分比在0.1％到1％。

2.如权利要求1所述的有机阻变存储器，其特征在于，所述功能层的厚度范围为 100-200nm。

3.如权利要求1所述的有机阻变存储器，其特征在于，所述顶电极和底电极的厚度范围 均为100nm-200nm。

4.如权利要求1所述的有机阻变存储器，其特征在于，衬底为玻璃或者柔性基底。

5.一种有机阻变存储器的制备方法，其步骤包括

1)在衬底上淀积一层金属作为底电极，底电极为W、Pt或Au；

2)将金属粉末与有机钛氧酞菁粉末研磨搅拌，而后利用热蒸发成膜的方法形成金属掺杂 的钛氧酞菁膜，掺杂的金属为Al、Hf或Mg中的一种，掺杂的金属的质量百分比在0.1％到1％；

3)在上述金属掺杂的钛氧酞菁膜上方淀积一层W、Pt或Au金属，实现顶电极的制备。