[发明专利]用于堆叠的管芯嵌入式芯片堆积的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201010139544.8 申请日: 2010-03-08
公开(公告)号: CN101877348A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: P·A·麦康奈利;K·M·迪罗歇;D·P·坎宁安 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;王丹昕
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 堆叠 管芯 嵌入式 芯片 堆积 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种嵌入式芯片封装(10),包括:

多个重分布层(14),沿垂直方向结合在一起以形成层压堆叠,其中每个重分布层(14)包括在其中形成的多个通路(28);

第一芯片(26),嵌入在所述层压堆叠中并包括多个芯片焊盘(30);

第二芯片(62),附连到所述层压堆叠并相对于所述第一芯片(26)沿垂直方向堆叠,所述第二芯片(62)包括多个芯片焊盘(30);

输入/输出(I/O)系统(86),置于所述层压堆叠的最外面的重分布层(82)上;以及

多个金属互连(34),电耦合到所述I/O系统(86)并配置成将所述第一芯片和所述第二芯片电连接到所述I/O系统(86),其中所述多个金属互连(34)的每个延伸穿过相应的通路(28)以与相邻的重分布层(14)上的金属互连(34)和所述第一芯片(26)或第二芯片(62)上的芯片焊盘(30)这两者之一形成直接金属连接。

2.如权利要求1所述的嵌入式芯片封装(10),还包括安置在所述多个重分布层(14)的每个重分布层之间的粘合层(24)。

3.如权利要求1所述的嵌入式芯片封装(10),其中所述多个金属互连(34)的一部分延伸到所述最外面的重分布层(82)的外表面上。

4.如权利要求3所述的嵌入式芯片封装(10),其中所述最外面的重分布层(82)包括最顶部的重分布层和最底部的重分布层中的至少一个;并且

其中所述I/O系统(86)置于所述多个金属互连(34)的所述部分上。

5.如权利要求1所述的嵌入式芯片封装(10),还包括附连到所述层压堆叠的另一最外面的重分布层(90)上的所述多个金属互连(34)的一部分的电容器、电感器和电阻器中的至少一个(88)。

6.如权利要求5所述的嵌入式芯片封装(10),还包括附连到所述层压堆叠的所述另一最外面的重分布层(90)的散热器(92)。

7.如权利要求1所述的嵌入式芯片封装(10),其中所述多个重分布层(14)包括:

中心重分布层(16),具有沿第一方向面向的第一表面和沿与所述第一方向相反的第二方向面向的第二表面;

至少一个第一附加的重分布层(38),粘合到所述中心重分布层(16)的第一表面并沿所述第一方向延伸出来;

至少一个第二附加的重分布层(40),粘合到所述中心重分布层(16)的第二表面并沿所述第二方向延伸出来;

其中粘合到所述中心重分布层(16)的第一表面的所述至少一个第一附加的重分布层(38)中的每个包括多个通路(28)和多个金属互连(34),所述多个金属互连(34)延伸穿过所述通路(28)并延伸到所述第一附加的重分布层(38)的背对所述中心重分布层(16)的表面上;并且

其中粘合到所述中心重分布层(16)的第二表面的所述至少一个第二附加的重分布层(40)中的每个包括多个通路(28)和多个金属互连(34),所述多个金属互连(34)延伸穿过所述通路(28)并延伸到所述第二附加的重分布层(40)的背对所述中心重分布层(16)的表面上。

8.如权利要求1所述的嵌入式芯片封装(10),其中所述多个重分布层(14)的一部分包括在其中形成的芯片开口(42),所述多个重分布层的所述部分中的相应重分布层中的芯片开口(42)的尺寸设计成在其中接纳所述第一芯片(26)和所述第二芯片(62)之一。

9.如权利要求8所述的嵌入式芯片封装(10),其中具有在其中形成的所述芯片开口(42)的所述重分布层(14)的每个的厚度近似等于置于其芯片开口中的芯片的厚度。

10.如权利要求1所述的嵌入式芯片封装(10),其中所述第一芯片(98)的非活动表面粘合到所述第二芯片(100)的非活动表面。

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