[发明专利]一种超薄芯片的倒装式封装方法以及封装体

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种超薄芯片的倒装式封装方法以 及封装体。

【背景技术】

随着电子工业的不断发展，更小、更薄、更轻的器件封装工艺已经成为一 种发展趋势。然而现有封装技术中的一些工艺方法并不能满足目前的发展趋 势，比如现有封装技术中芯片焊盘(PAD)和引线框架之间的金属引线需要占 用芯片的纵向空间，增加了芯片的厚度，阻碍了器件向更薄的趋势发展；而倒 装式封装中焊盘和引线框架之间的金属球也需要占用芯片的纵向空间，并且金 属球的焊接和组装工艺复杂，因此不仅增加了芯片的厚度还增加了封装工艺的 复杂程度，不利于推进器件向轻薄化的趋势发展。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是，提供一种超薄芯片的封装方法以及封装 体，即能够有效降低封装后器件的厚度，又能够降低工艺的复杂程度和成本， 从而推进器件向轻薄化的趋势发展。

为了解决上述问题，本发明提供了一种超薄芯片的倒装式封装方法，包括 如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆的正面具有多个待封装的芯片结构；在晶圆 正面的芯片结构上的焊盘上粘贴导电薄膜，所述导电薄膜的上下表面均具有粘 性；将粘贴有导电薄膜的晶圆切割成独立的芯片；将导电薄膜与引线框架对应 的引脚相互对准，从而将芯片粘贴在引线框架上。

作为可选的技术方案，所述导电薄膜是含有金属成分的树脂薄膜，所述金 属为银，所述导电薄膜层中进一步含有焊料。

作为可选的技术方案，所述导电薄膜的厚度范围是10μm至50μm。

作为可选的技术方案，所述在晶圆正面粘贴导电薄膜的步骤进一步包括： 提供一支撑层；在所述支撑层的表面上形成一层连续的导电薄膜；图形化所述 导电薄膜，使其位置和形状与晶圆正面焊盘相互对应；将晶圆正面的焊盘与图 形化的导电薄膜相互对准，从而将晶圆粘贴在所述支撑层的表面上；将支撑层 移除，从而将图形化的导电薄膜粘贴在晶圆表面的焊盘上。

作为可选的技术方案，所述导电薄膜的两个表面具有不同的粘附强度，并 采用粘附强度较低的一个表面与支撑层相互粘贴，以有利于粘贴晶圆后将支撑 层移除。

本发明进一步提供了一种上述的方法形成的封装体，包括引线框架以及粘 贴在引线框架上的芯片，所述芯片的焊盘朝向引线框架，在芯片的焊盘与引线 框架的引脚之间设置有导电薄膜，所述导电薄膜的上下表面均具有粘性，以粘 合引线框架和芯片。

作为可选的技术方案，所述导电薄膜是含有金属成分的树脂薄膜，所述金 属为银，所述导电薄膜层中进一步含有焊料。

作为可选的技术方案，所述导电薄膜的厚度范围是10μm至50μm。

本发明的优点在于，采用了双面具有粘性的导电薄膜代替了现有技术中的 金球，即能够有效降低封装后器件的厚度，又能够降低工艺的复杂程度和成本， 从而推进器件向轻薄化的趋势发展。

【附图说明】

附图1所示是本发明具体实施方式的实施步骤示意图；

附图2至附图9是本发明具体实施方式的工艺流程图。 

【具体实施方式】

下面结合附图对本发明提供的一种超薄芯片的倒装式封装方法以及封装 体的具体实施方式做详细说明。

附图1所示是本具体实施方式所述封装方法的实施步骤示意图，包括如下 步骤：步骤S100，提供一晶圆，所述晶圆的正面具有多个待封装的芯片结构； 步骤S110，提供一支撑层；步骤S111，在所述支撑层的表面上形成一层连续 的导电薄膜；步骤S112，图形化所述导电薄膜，使其位置和形状与晶圆正面 焊盘相互对应；步骤S113，将晶圆正面的焊盘与图形化的导电薄膜相互对准， 从而将晶圆粘贴在所述支撑层的表面上；步骤S114，将支撑层移除，从而将 图形化的导电薄膜粘贴在晶圆表面的焊盘上；步骤S120，将粘贴有导电薄膜 的晶圆切割成独立的芯片；步骤S130，将导电薄膜与引线框架对应的引脚相 互对准，从而将芯片粘贴在引线框架上。

附图2所示，参考步骤S100，提供一晶圆100，所述晶圆100的正面具有 多个待封装的芯片结构，本具体实施方式以芯片结构111、113和115表示。