[发明专利]LED封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED封装结构，以及一种制造该LED封装结构的方法。

背景技术

目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因具光质佳及发光效率高等特性而逐渐取代冷阴极荧光灯(Cold Cathode FluorescentLamp，CCFL)，成为照明装置中的发光元件。

现有的LED通常是在制成发光芯片后，将该发光芯片设置在一个基板，如金属板上，再通过后续的制程，如封装透镜后制成。所述金属板一方面用于承载该发光芯片，另一方面也可用来对发光芯片进行散热。

然而，现有的发光芯片，其在热传导性能上通常难以与金属板相匹配，例如，由于发光芯片材料的热膨胀系数(Coefficient ofThermal Expansion，CTE)与金属板材料的热膨胀系数差异较大，当发光芯片散发出热量时，该发光芯片与该金属板之间容易产生热应力，从而导致两者之间相互挤压而变形。因此，该LED的工作稳定性及使用寿命均难以较佳地达到生产及使用的需要。

有鉴于此，提供一种具较佳工作稳定性的LED封装结构实为必要。

发明内容

下面将以实施例说明一种具较佳工作稳定性的LED封装结构，以及一种制造该LED封装结构的方法。

一种LED封装结构，其包括一个金属基板、一个发光芯片、以及一个缓冲层。该发光芯片设置在该金属基板上。该缓冲层设置在该发光芯片与该金属基板之间以连接该发光芯片与该金属基板。该缓冲层包括一个基体及填充在该基体内的多个导电微粒，该基体为软性环氧树脂，每个导电微粒包含一个树脂粒子及一个包覆该树脂粒子的金属层，该多个导电微粒电性连接该发光芯片与该金属基板。

一种LED封装结构的制造方法，包括：提供一个金属基板并在该金属基板上形成一个缓冲层，该缓冲层包括一个基体及填充在该基体内的多个导电微粒，且该基体为环氧树脂，每个导电微粒包含一个树脂粒子及一个形成在该树脂粒子外表面的金属层；提供一个发光芯片并将该发光芯片设置在该缓冲层上，以使该缓冲层位于该发光芯片与该金属基板之间；高温加热该缓冲层使其软化，并使该发光芯片与该金属基板相互靠近，从而挤压该基体中的多个导电微粒，以使其与该发光芯片及该金属基板分别相接触并形成电性连接；冷却该缓冲层，以使该缓冲层逐渐固化。

相对于现有技术，该LED封装结构采用缓冲层来连接发光芯片与金属基板，由于该缓冲层包括一个基体及填充在该基体内的多个导电微粒，而该基体为软性环氧树脂，其具有应力缓冲作用，在保证电性连接该发光芯片与该金属基板的前提下，该缓冲层可避免发光芯片与金属基板之间由于受热时相互挤压所产生的变形，从而保证LED封装结构的性能稳定和使用寿命。

附图说明

图1是本发明实施例提供的LED封装结构的剖视图。

图2是图1所示LED封装结构中导电微粒的剖视图。

图3是本发明提供的LED封装结构制造方法的流程图。

图4是图3所示制造方法中步骤102所提供的金属基板及缓冲层的示意图。

图5是图3所示制造方法中步骤104所提供的发光芯片的结构示意图。

图6是实施图3所示制造方法中步骤104～108所对应的发光芯片与缓冲层及金属基板的封装结构的示意图。

图7是在图6的基础上进一步形成发光芯片的电极接触垫的示意图。

图8是在图7的基础上进一步实施步骤110所形成的LED封装结构的示意图。

图9是采用图8所示LED封装结构的LED的结构示意图。

主要元件符号说明

LED封装结构         100

LED                 200

金属基板            12

发光芯片            14

缓冲层              16

基体                160

导电微粒            162

导电孔              18

绝缘层              180

导电物质            182

反射腔              20

透镜                22

电路板              24

基底                140

P型层               141

PN结                142