[发明专利]LED封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种LED封装结构，其包括：

一个金属基板；

一个发光芯片，其设置在该金属基板上；以及

一个缓冲层，该缓冲层设置在该发光芯片与该金属基板之间以连接该发光芯片与该金属基板，该缓冲层包括一个基体及填充在该基体内的多个导电微粒，该基体为软性环氧树脂，每个导电微粒包含一个树脂粒子及一个包覆该树脂粒子的金属层，该多个导电微粒电性连接该发光芯片与该金属基板。

2.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，该树脂粒子具有弹性。

3.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，该缓冲层的厚度大于10μm且小于35μm。

4.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，该每个导电微粒的直径大于1μm且小于15μm。

5.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，该金属基板的面积大于缓冲层的面积，该金属基板未设置该缓冲层的区域开设一个贯穿该金属基板的导电孔，该导电孔中填充导电物质，该导电孔的内侧壁上形成一绝缘层以使该导电物质与该金属基板相互绝缘。

6.如权利要求5所述的LED封装结构，其特征在于，该导电物质为铜或铜合金。

7.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，该金属基板的材料为铜或铜合金。

8.一种LED封装结构的制造方法，包括：

提供一个金属基板并在该金属基板上形成一个缓冲层，该缓冲层包括一个基体及填充在该基体内的多个导电微粒，且该基体为环氧树脂，每个导电微粒包含一个树脂粒子及一个形成在该树脂粒子外表面的金属层；

提供一个发光芯片并将该发光芯片设置在该缓冲层上，以使该缓冲层位于该发光芯片与该金属基板之间；

高温加热该缓冲层使其软化，并使该发光芯片与该金属基板相互靠近，从而挤压该基体中的多个导电微粒，以使其与该发光芯片及该金属基板分别相接触并形成电性连接；

冷却该缓冲层，以使该缓冲层逐渐固化。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，进一步包括步骤：在金属基板未设置该缓冲层的区域开设一个贯穿该金属基板的导电孔，并进一步在该导电孔中填充导电物质，该导电孔的内侧壁上形成一绝缘层以使该导电物质与该金属基板相互绝缘。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在缓冲层的固化过程中保持施加在该缓冲层两侧的压力。