[发明专利]一种融入了阻变材料的多位快闪存储器有效
| 申请号： | 201010124705.6 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102194849A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄如;秦石强;蔡一茂;唐粕人;张丽杰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 融入 材料 多位快 闪存 | ||
1.一种多位快闪存储器，包括衬底、源端和漏端，以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅和阻挡氧化层，其特征在于，在阻挡氧化层上依次层叠金属下电极、阻变材料层和金属上电极。
2.如权利要求1所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述阻变材料层的材料为具有阻变特性的金属氧化物。
3.如权利要求2所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述金属氧化物选自氧化铝、氧化钛、氧化钨、氧化镍、氧化铪和氧化锌中的一种。
4.如权利要求1所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述阻变材料层的厚度为10nm～300nm。
5.如权利要求1所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述金属下电极和金属上电极为铝质电极。
6.一种多位快闪存储器，包括衬底、源端和漏端，以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、氮化硅陷阱层和阻挡氧化层，其特征在于，在阻挡氧化层上依次层叠金属下电极、阻变材料层和金属上电极。
7.如权利要求6所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述阻变材料层的材料为具有阻变特性的金属氧化物。
8.如权利要求7所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述金属氧化物选自氧化铝、氧化钛、氧化钨、氧化镍、氧化铪和氧化锌中的一种。
9.如权利要求6所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述阻变材料层的厚度为10nm～300nm。
10.如权利要求6所述的多位快闪存储器，其特征在于，所述金属下电极和金属上电极为铝质电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
