[发明专利]高压侧半导体结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种高压侧半导体结构。

背景技术

随着半导体科技的发展，发展出一种高压侧半导体结构。高压侧半导体结构在 基板上形成掺杂离子的深井，半导体组件则设置于此深井内，以创造出较高的参考 耐压(又称为崩溃电压)。

在许多应用上，设计者必须试着增加高压侧半导体结构的参考耐压。然而，要 高压侧半导体结构的增加参考耐压是一件相当不容易的事情。为了改变高压侧半导 体结构的参考耐压，工艺上可能需要多出许多道黄光工艺，高压侧半导体结构的操 作电压也可能会改变。

因此，如何研发一种同时满足增加参考耐压、工艺简易且不会改变操作电压的 高压侧半导体结构，实为目前半导体业界研究发展的一重要目标。

发明内容

本发明是有关于一种高压侧半导体结构，其利用掺杂井、第一深井及第二深井 相互分开的设计，使得高压侧半导体结构同时满足增加参考耐压、工艺简易且不会 改变操作电压的效果。

根据本发明的一方面，提出一种高压侧半导体结构。高压侧半导体结构包括一 基板、一第一深井、一第二深井、一第一主动组件、一第二主动组件及一掺杂井。 第一深井及第二深井形成于基板内。其中第一深井及第二深井具有相同的离子掺杂 型态。第一主动组件及第二主动组件分别形成于第一深井及第二深井内。掺杂井形 成于基板内，并形成于第一深井及第二深井之间。掺杂井、第一深井及第二深井相 互分开，且第一深井及第二深井与掺杂井具有互补的离子掺杂型态。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作 详细说明如下：

附图说明

图1绘示第一实施例的高压侧半导体结构的示意图；以及

图2绘示本发明第二实施例的高压侧半导体结构的示意图。

主要组件符号说明：

100、200：高压侧半导体结构

D₁₁、D₁₂、D₂₁、D₂₂：漏极

G₁₁、G₁₂、G₂₁、G₂₂：栅极

N₁₂、N₁₃、N₁₄、N₂₁、N₂₅、N₂₆、P₁₁、P₁₅、P₁₆、P₂₂、P₂₃、P₂₄：重离子掺杂区 域

N₁、P₂：第一主动组件

N₂、P₁：第二主动组件

NS、PS：基板

NS₁、PS₁：第一间隙区域

NS₂、PS₂：第二间隙区域

NW₀、NW₁₁、NW₂₁、PW₀、PW₁₁、PW₂₁：掺杂井

NWD₁、PWD₁：第一深井

NWD₂、PWD₂：第二深井

S₁₁、S₁₂、S₂₁、S₂₂：源极

具体实施方式

以下是提出一实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并不会限缩 本发明欲保护的范围。此外，实施例中的图式省略不必要的组件，以清楚显示本发 明的技术特点。

第一实施例