[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法无效
申请号: | 201010116407.2 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN101819985A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 徐祥准;南基贤;文晶右 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;王琦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。特别是,它涉及一种薄膜封装的OLED显示器及其制造方法。
背景技术
OLED显示器具有自发光的特性,并且因为它不像液晶显示器(LCD)那样需要独立的光源,所以其厚度和重量都可以被降低。另外,因为OLED显示器表现出诸如低功耗、高亮度以及高响应速度等等的高品质特性,所以它作为下一代显示设备受到广泛关注。
OLED显示器包括多个分别具有空穴注入电极、有机发射层以及电子注入电极的OLED。当其阳极和阴极把空穴和电子注入所述有机发射层时,OLED利用在所述有机发射层中的电子和空穴相结合而生成的激子从激发态跃迁回基态时所产生的能量来发光,并且当激子从激发态跃迁回基态时,图像就被显示出来。
但是,所述有机发射层对例如水分和氧那样的外部环境因素敏感,所以当它被暴露在水分或者氧中时,OLED显示器的品质有可能恶化。因此,为了保护OLED并且阻止所述水分和氧气渗入有机发射层,通过附加的密封过程把封装基板密封到在形成有OLED的显示基板,或者在OLED上形成厚的保护层。
但是,当使用封装基板或者形成保护层时,为了完全地阻止水分或者氧渗入有机发射层,OLED显示器的制造过程将变得错综复杂,并且OLED显示器的总厚度也不能被做薄。
以上在背景部分中被公开的信息只是为了增加对本发明的背景的了解,因此可能会包含并未构成在本国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明致力于提供一种能通过薄膜封装层有效地抑制水分或者氧渗入有机发射层的OLED显示器,同时致力于把总厚度做薄。
另外,本发明提供一种制造能有效地形成所述薄膜封装层的OLED显示器的方法。
基于本发明一个示例性实施例的OLED显示器包括:基板主体;形成在所述基板主体上的OLED;水分吸收层,其形成在所述基板主体上,并且覆盖所述OLED;形成在所述基板主体上并覆盖所述水分吸收层的有机阻挡层;以及形成在所述基板主体上并覆盖所述有机阻挡层的无机阻挡层。
所述水分吸收层可以由至少用氧化硅(SiO),氧化钙(CaO)以及氧化钡(BaO)中的至少一种制成的材料形成。
所述有机阻挡层可以由基于聚合物的材料制成。
所述水分吸收层和所述有机阻挡层可以通过第一热蒸发过程和第二热蒸发过程连续地形成。
所述第一热蒸发过程和第二热蒸发过程中的至少一种可以包括真空蒸发方法。
所述水分吸收层和所述有机阻挡层的总厚度可以在1纳米到1000纳米的范围内。
所述水分吸收层阻止在形成所述有机阻挡层的过程期间生成的水分渗入所述OLED的有机发射层。
所述无机阻挡层可以由包括Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO以及Ta2O5中的至少一种的材料制成。
所述无机阻挡层可以通过原子层沉积(ALD)方法形成。
所述水分吸收层、所述有机阻挡层以及所述无机阻挡层的总厚度可以在10纳米到10,000纳米的范围内。
基于本发明另一示例实施例的制造OLED显示器的方法,包括:在基板主体上形成OLED;通过第一热蒸发过程形成覆盖所述OLED的水分吸收层;通过第二热蒸发过程形成覆盖所述水分吸收层的有机阻挡层;以及通过原子层沉积(ALD)方法形成覆盖所述有机阻挡层的无机阻挡层。
所述水分吸收层可以由包括氧化硅(SiO)、氧化钙(CaO)以及氧化钡(BaO)中的至少一种的材料形成。
所述有机阻挡层可以由基于聚合物材料构成。
至少在第一热蒸发过程和第二热蒸发过程中的至少一种可以包括真空蒸发方法。
所述水分吸收层可以通过沉积因二氧化硅(SiO2)和硅气体的反应而形成的氧化硅制成。
所述水分吸收层和所述有机阻挡层可以通过第一热蒸发过程和第二热蒸发过程连续地形成。
所述水分吸收层可以阻止在形成所述有机阻挡层的过程期间生成的水分渗入所述OLED的有机发射层。
所述水分吸收层和所述有机阻挡层的总厚度可以被形成为在1纳米到1000纳米的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的