[发明专利]用于电子束直写光刻的设计方法

说明书

本申请要求于2009年2月11日提交的、标题为“Design Methods for E-Beam Direct Write Lithography”的美国临时专利申请序列第61/151,753号 的优先权，其申请结合与此作为参考。

技术领域

本发明总的来说涉及集成电路形成工艺，更具体地，涉及用于对将使 用电子束直写光刻形成的集成电路进行布局的方法。

背景技术

电子束直写(EBDW)是用于在集成电路中限定图样的技术，其包括 使用电子束代替光来限定图样。EBDW可打破光的衍射极限，并且是用于 针对未来一代集成电路制造小部件的较好候选。

尽管具有较好的潜力，但EBDW在生产量和图样精度方面具有其自身 的局限性。尽管已经提出了解决方案来解决生产量和图样精度问题，但这 些解决方面通常成本较高。因此，上面提到的问题导致用于将EBDW投入 生产的可用时间线延迟。

在EBDW系统中，首先将集成电路的布局断裂成带状，其进一步被划 分为区域(field)和子区域。当布局部件横跨带、区域或子区域之间边界 时，必须特别小心以避免诸如接缝错误和覆盖错误的图样化错误。需要这 种特别的留心来提高部件精度以及减小边缘粗糙度。

传统地，图样化错误问题必须通过以下方法来解决：以前后方式缓慢 移动其上放置有晶片的台架，和/或对横跨边界的图样执行多重曝光，多重 曝光的每一个都具有均分的剂量。不幸的是，已经低产量的EBDW通过这 种前后移动以及通过多重曝光而进一步恶化。此外，通常受到挑战且成本 高的是控制横跨边界的部件的质量，因为质量的任何劣化都会导致关键尺 寸(CD)均匀性和器件性能问题。因此，所需要的是用于克服上述现有技 术中的缺点的方法和结构。

发明内容

根据本发明的一个方面，一种用于形成晶片的集成电路的方法包括： 提供电子束直写(EBDW)系统。针对晶片生成网格，其中，网格包括网 格线。为晶片进行集成电路的布局，其中，基本上没有集成电路中的灵敏 部件横跨网格的网格线。使用EBDW系统对晶片执行EBDW。

根据本发明的另一方面，一种用于形成晶片的集成电路的方法包括： 提供EBDW系统；确定包括网格线的第一网格，其中，第一网格与EBDW 系统的第二网格同步；对晶片应用第一网格；以及对晶片进行电路的布局。 电路的第一边界和第二边界分别与第一网格的第一网格线以及垂直于第一 网格线的第一网格的第二网格线重叠。使用EBDW系统对晶片执行EBDW。

根据本发明的又一方面。一种用于形成晶片的集成电路的方法包括： 提供EBDW系统；确定包括网格线的第一网格，其中，第一网格与EBDW 系统的第二网格同步；对晶片应用第一网格；以及使用放置器执行自动放 置。对放置器施加约束以在第一网格的网格线上放置非灵敏标准单元，以 及在第一网格的网格线上不放置灵敏标准单元。

本发明的优点包括EBDW改进的生产量以及使用EBDW形成的部件 的改进精度。

附图说明

为了更全面地理解本发明及其优点，将参照结合附图所进行的以下描 述，其中：

图1示出了电子束直写(EBDW)系统的网格；

图2示出了晶片上网格的顶视图，其中，晶片上的网格与EBDW系统 的网格同步；

图3示出了习用电路的布局和放置；

图4示出了可翻转IP的布局和放置；

图5示出了标准单元的自动放置；以及

图6示出了金属线的布线。

具体实施方式

下面，详细描述本发明优选实施例的制造和使用。然而，应该理解， 本发明提供了许多可以在具体环境下实现的许多可应用的发明概念。所讨 论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本发明的具体方式，并不限制本发 明的范围。

图1示出了晶片10的一部分的顶视图，其上执行电子束直写(EBDW)。 在一个实施例中，对形成在上方的光刻胶12(因此与晶片10重叠)执行 EBDW。通过利用电子束扫描光刻胶12中的特定图样，光刻胶12的扫描 图样与没有被电子束扫描的剩余部分具有不同的特性。因此，光刻胶12可 以被显影，并且可以将图样转印到下层的部件。