[发明专利]用于电子束直写光刻的设计方法

权利要求书

1.一种形成用于晶片的集成电路的方法，所述方法包括：

提供电子束直写(EBDW)系统；

生成用于所述晶片的第一网格，其中，所述第一网格包括网格线；以 及

对所述晶片的集成电路进行布局，其中，所述集成电路中没有灵敏部 件横跨所述第一网格的所述网格线；

其中，所述灵敏部件选自由栅电极、扩散区域、金属线和他们的组合 所组成的组。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用所述EBDW系统对所 述晶片执行EBDW，

其中，从由习用电路的宽度和长度组成的组中选择的至少一个尺寸等 于所述第一网格中的网格单元的相应尺寸的多倍。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用所述EBDW系统对掩模执行EBDW；以及

执行光刻工艺以在所述晶片上形成部件，其中，所述部件包括通过所 述掩模转印的图样。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述EBDW系统是单电子束 直写(EBDW)系统或多电子束直写(EBDW)系统。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述集成电路进行布局的步 骤包括：对习用电路进行布局，其中，所述习用电路的第一边界线和第二 边界线与所述网格线中的第一网格线和第二网格线重叠，以及其中，所述 第一网格线和所述第二网格线彼此垂直；或者

对所述集成电路进行布局的步骤包括：执行标准单元的自动放置，以 及其中，所述标准单元中没有灵敏单元被放置为横跨所述第一网格的所述 网格线，其中，从由填充单元和去耦电容器单元组成的组中选择的非灵敏 单元被放置为横跨所述第一网格的所述网格线；

其中，所述灵敏单元包括反相器、NAND门、NOR门、多路复用器、 锁存器、和触发器。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一网格的所述网格线与 所述EBDW系统的第二网格的网格线同步；

所述EBDW系统的所述第二网格包括由所述EBDW系统的子区域的 边界形成的网格，以及其中，所述第一网格的网格线与所述子区域的至少 一些边界重叠，或者所述EBDW系统的所述第二网格包括由所述EBDW系 统的区域的边界形成的网格，以及其中，所述第一网格的网格线与所述区 域的至少一些边界重叠，或者所述EBDW系统的所述第二网格包括由所述 EBDW系统的带的边界形成的网格，以及其中，所述第一网格的网格线与 所述带的至少一些边界重叠。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述集成电路进行布局的步 骤包括：将第一金属层中横跨一条网格线的金属线重新布线到所述第一金 属层上方的第二金属层；或者

对所述集成电路进行布局的步骤包括：对所述第一网格的网格单元内 的金属线和横跨所述网格线的金属线施加权重，并且基于所述权重对金属 线进行布局。

8.一种形成用于晶片的集成电路的方法，所述方法包括：

提供电子束直写(EBDW)系统；

确定包括网格线的第一网格，其中，所述第一网格与所述EBDW系统 的第二网格同步；

对所述晶片应用所述第一网格；以及

对所述晶片的电路进行布局，其中，所述电路的第一边界和第二边界 分别与所述第一网格的第一网格线以及垂直于所述第一网格线的所述第一 网格的第二网格线重叠；

其中，所述电路中的灵敏部件不横跨所述第一网格的网格线，并且所 述灵敏部件选自由栅电极、扩散区域、金属线和他们的组合所组成的组。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：使用所述EBDW系统对所 述晶片执行EBDW；或者

还包括：

使用所述EBDW系统对掩模执行EBDW；以及

执行光刻工艺以在所述晶片上形成部件，其中，所述部件包括通过所 述掩模转印的图样。