[发明专利]太阳能电池组件及其制备方法有效
| 申请号: | 201010033930.9 | 申请日: | 2010-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN102117815A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
| 发明(设计)人: | 李贵君;韩晓艳;宋行宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/042;H01L21/82;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池组件,包括多个太阳能电池,每个所述太阳能电池包括依次叠设的透明导电膜、太阳能电池层和金属背电极,相邻的所述太阳能电池通过激光划刻工艺相互串联,其特征在于,还包括:
至少一条第四道激光划线,所述第四道激光划线贯通所述金属背电极、太阳能电池层和透明导电膜,断开相邻的所述太阳能电池,形成至少两个独立的电池单元,所述电池单元由串联的所述太阳能电池构成。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,还包括:
第一电极引线,连接在至少两个所述电池单元的透明导电膜之间;
第二电极引线,连接在至少两个所述电池单元的金属背电极之间。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于:
所述太阳能电池为单结太阳能电池或多结叠层太阳能电池。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池组件,其特征在于:
所述单结太阳能电池为非晶硅太阳能电池、微晶硅太阳能电池或纳米硅太阳能电池。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池组件,其特征在于:
所述多结叠层太阳能电池为非晶硅/微晶硅双结叠层太阳能电池、非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层太阳能电池或纳米硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层太阳能电池。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于:
相邻所述太阳能电池的透明导电膜通过第一道激光划线断开,位于所述透明导电膜上的太阳能电池层的材料填充在第一道激光划线的贯通孔中;
相邻所述太阳能电池的太阳能电池层通过第二道激光划线断开,位于所述太阳能电池层上的金属背电极的材料填充在第二道激光划线的贯通孔中,且所述第二道激光划线贯通孔中的金属背电极的材料连接至相邻太阳能电池的透明导电膜;
相邻的所述太阳能电池的金属背电极和太阳能电池层通过第三道激光划线相互断开,第三道激光划线位于所述第二道激光划线背离第一道激光划线的一侧。
7.一种太阳能电池组件的制备方法,包括在透明基板上依次沉积透明导电膜材料层、太阳能电池材料层和金属背电极材料层,并通过激光划刻工艺形成相互串联的多个太阳能电池,其特征在于,还包括:
在形成的所述太阳能电池组件上,进行第四次激光划刻,切割贯通所述金属背电极材料层、太阳能电池材料层和透明导电膜材料层,断开相邻的所述太阳能电池,形成至少两个独立的电池单元,所述电池单元由串联的所述太阳能电池构成。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,所述进行第四次激光划刻的步骤包括:
采用波长为1064纳米的激光,进行第四次激光划刻。
9.根据权利要求7或8所述的太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,所述进行第四次激光划刻的步骤之后还包括:
将第一电极引线,连接在至少两个所述电池单元的透明导电膜之间;
将第二电极引线,连接在至少两个所述电池单元的金属背电极之间。
10.根据权利要求7或8所述的太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,在透明基板上依次沉积透明导电膜材料层、太阳能电池材料层和金属背电极材料层,并通过激光划刻工艺形成相互串联的多个太阳能电池的流程包括:
在透明基板上沉积所述透明导电膜材料层;
采用激光划刻工艺,在所述透明导电膜材料层中划刻第一道激光划线,形成包括多块透明导电膜的图案;
在形成上述图案的所述透明基板上沉积所述太阳能电池材料层,所述太阳能电池材料填充在第一道激光划线的贯通孔中;
采用激光划刻工艺,在所述太阳能电池材料层中划刻第二道激光划线,形成包括多块太阳能电池层的图案,所述第二道激光划线与所述第一道激光划线之间错开,以便每块所述太阳能电池层与两块相邻的透明导电膜相交叠;
在形成上述图案的所述透明基板上沉积所述金属背电极材料层,所述金属背电极材料填充在第二道激光划线的贯通孔中以连接透明导电膜;
采用激光划刻工艺,在所述金属背电极材料层和太阳能电池层中划刻第三道激光划线,所述第三道激光划线形成于所述第二道激光划线背离第一道激光划线的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





