[发明专利]快闪存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910265541.6 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101771055A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 沈千万 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种器件，包括：
在半导体衬底上方的隔离层和有源区；
在所述半导体衬底上方的存储栅极、控制栅极和共同源极线接触中的至少一个；和
源极板，其中所述源极板具有与位线的有源区的间隔基本相同的间隔。
2.权利要求1的器件，其中所述源极板包括其上方形成有共同源极线接触的有源区，
其中所述共同源极线接触包括沿横过所述源极板的所述有源区的方向延伸的长对接接触。
3.权利要求2的器件，其中所述长对接接触连接所述源极板的至少两个有源区，
其中所述长对接接触与相邻的扩展区连接。
4.权利要求2的器件，包括在所述源极板的所述有源区上方的扩展区，
其中所述扩展区和所述隔离层同时形成。
5.权利要求2的器件，包括在其上形成有所述共同源极线接触的所述源极板上方的多个扩展区。
6.一种方法，包括：
在半导体衬底上方形成隔离层和有源区；
在半导体衬底上方形成存储栅极、控制栅极和共同源极线接触中的至少一个；和
形成源极板，其中所述源极板具有与位线的有源区的间隔基本相同的间隔。
7.权利要求6的方法，其中所述源极板包括其上方形成有共同源极线接触的有源区，
其中所述共同源极线接触包括沿横过所述源极板的所述有源区的方向延伸的长对接接触。
8.权利要求7的方法，其中所述长对接接触连接所述源极板的至少两个有源区，
其中所述长对接接触与相邻的扩展区相连接。
9.权利要求7的方法，包括在所述源极板的所述有源区上方的扩展区，
其中所述扩展区和所述隔离层同时形成。
10.权利要求7的方法，包括在其上形成有所述共同源极线接触的所述源极板上方的多个扩展区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
