[发明专利]半导体制造过程中的机台参数数据的处理方法和装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域，尤其涉及一种半导体制造过程中的机台参数数据的处理方法和装置。

背景技术

半导体机台参数是指在半导体制程中表征生产设备性能的数据的集合，包括温度、压力、电流、浓度、时间等。这些参数的准确和稳定与否决定了每道工序的质量，如果在晶圆加工过程中某些参数出现异常，就有可能会影响到晶圆的最终良率。这些参数数据的最显著的特点就是数据量大，每片晶圆在FAB(晶圆工厂)里都要经过上百个加工工序，每道工序中都会有成百上千个机台制程参数的数据被实时收集到生产系统数据库中。在一条300mm的晶圆生产线上，这些数据通常有上TB大小。

在晶圆加工过程中，由于一些系统的或者偶然的因素，如机台设备磨损，参数超出规定范围等等，导致某些晶圆的良率下降。专门负责良率分析的产品工程师会收集有可能影响到晶圆良率的数据，通过一定的分析方法，找到最有可能造成良率下降的原因，并进行进一步分析验证。然后针对所发现的问题，提出解决方案，持续改善，从而达到提升良率的目的。因此查清哪些机台参数对于晶圆的测试结果变化产生重要影响对于进行失效分析非常重要。

现有技术中为工程师提供的质量监控系统只有线上的实时生产监控系统，该系统在设计之初就不是为了分析数据用的，而仅仅是用于监控的，工程师利用该系统只能监控某一个机台的某一个机台参数在一段时间内的所有数据。工程师能够做的就是查看该参数在一段时间内是否超过正常范围。而当某道工序出现问题时，为了完成分析过程，工程师只能根据经验选择几个待分析的机台参数，并从实时系统中的数据库中人工导出这些待分析的机台参数的数据，之后再其他晶圆的性能测试数据合成在一起，手动地进行相关性分析。但是由于实时系统在设计时不是基于分析功能的，所以在从实时系统中取大量的机台参数数据时会影响实时系统同时从各个机台收集机台参数的速度，影响实时系统的工作效率。另外，人工手动地进行相关性分析也是需要耗费大量的资源。

2008年11月26日公开的公开号为CN101311737A(发明名称为“晶圆质量控制方法”)的中国发明专利申请公布说明书中公开了一种晶圆质量控制方法，该方法根据不同时间测量的各盒晶圆的可接受测试参数和良率，得到可接受测试参数和良率与时间的关系，并可以得到良率与可接受测试参数的相关参数，当相关参数小于第一设定值时，则判定可接受测试参数不是与晶圆失效有关的可疑参数。该方法中被分析参数仅仅是晶圆可接受测试参数(WAT，Wafer Acceptance Test)和良率，这两个参数均是晶圆性能参数，而对于机台参数并未做任何分析，该方案仅仅能够分析晶圆的两个特定性能参数之间的相关程度，无法分析机台参数与晶圆性能参数的相关程度，进而无法对影响晶圆性能参数的关键机台参数作出判断。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体制造过程中的机台参数数据的处理方法和装置，能够确定机台参数与晶圆性能参数的相关程度，并且能够减小对实时系统的影响。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种半导体制造过程中机台参数数据的处理方法，该方法包括：

定期将实时系统中的从上次更新后产生的机台参数数据更新到离线数据库中，所述机台参数数据至少按照晶圆批次分组；

测试系统获取各批晶圆的性能参数的测试数据，所述性能参数测试数据至少按照晶圆批次分组；

接收相关性分析的任务请求，所述任务请求包括需要进行相关性分析的晶圆批次、机台参数和晶圆性能参数；

根据所述相关性分析的任务请求，从离线数据库中取出需要进行相关性分析的机台参数数据，并依据晶圆批次，将需要进行相关性分析的同一晶圆批次的机台参数数据和所述测试系统中的性能参数测试数据组合在一起；

依据所述相关性分析的任务请求，对所述组合在一起的机台参数数据和性能参数测试数据进行相关性分析，得到晶圆性能参数与机台参数之间的相关性系数，找出相关性系数大于第一阈值的机台参数。

另一方面，本发明实施例还提供一种半导体制造过程中机台参数数据的处理装置，包括：

更新单元，用于定期将实时系统中的从上次更新后产生的机台参数数据更新到离线数据库中，所述机台参数数据至少按照晶圆批次分组；

获取单元，用于从测试系统中获取各批晶圆的性能参数的测试数据，所述性能参数测试数据至少按照晶圆批次分组；

接收单元，用于接收相关性分析的任务请求，所述任务请求包括需要进行相关性分析的晶圆批次、机台参数和晶圆的性能参数；