[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay；以下简称：TFT-LCD)因其体积小，功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

TFT-LCD的液晶面板是由阵列基板和彩膜基板对盒而形成的。在阵列基板的衬底基板上形成有相互交叉的栅极线和数据线，栅极线和数据线围设定义出多个矩阵形式排列的像素单元。在各像素单元中配置有像素电极和TFT开关。将驱动信号施加到栅极线上，使TFT开关导通，则图像信号通过数据线施加到像素电极中。在彩膜基板的衬底基板上形成有黑矩阵和彩膜树脂。彩膜树脂为滤色层，对应阵列基板上各像素电极的图案。黑矩阵形成在彩膜树脂之间，使光不能透过像素电极以外的区域。彩膜基板上还形成有公共电极。在阵列基板和彩膜基板对盒后充入液晶，通过施加在像素电极的图像信号电压与公共电极中的公共电压之间的电压差来控制液晶的偏转，进而控制光线的强弱，配合彩膜树脂的滤光作用，在液晶面板上显示出所要表达的图像。

在TFT-LCD阵列基板的制造过程中，由于异物颗粒(particle)或者制造工序中产生的问题，会对阵列基板上的结构产生影响，形成亮点、亮线之类的不良。其中部分不良是可以维修的，例如由薄膜残留和异物颗粒引起的，有一些可以通过修补(repair)工序修成正常点，另外一些比较严重或者无法维修的则被修成暗点。但是暗点对于阵列基板的整体良率以及液晶显示模组成品的品质仍然存在很大影响，显著降低产品的性能和品质。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法，以提高阵列基板的可修复性，改善产品质量，提高成品率。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底基板，交叉的栅级线和数据线围设形成多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极，其中：

像素单元中还形成有修补线，所述修补线与所述栅极线和/或数据线同层形成，且与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔；

至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成栅极线、数据线、TFT开关和像素电极的步骤，其中，还包括：

在形成所述栅极线和/或数据线的图案的同时，还形成修补线，所述修补线与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔，至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

由以上技术方案可知，本发明的技术方案利用了活性金属的针孔效应所产生的针刺，以针刺刺穿其上的绝缘层，以备后续在出现非正常显示的导电结构时，通过连接相邻像素单元中的针刺即可实现导电结构的连接。与传统的维修方法相比，该维修结构不需要进行像素击穿和融化作业，可以大幅度提高维修的效率和成功率。易于修复的阵列基板显著改善了显示质量。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图2为图1中A-A向的侧视剖面结构示意图；

图3为金属针孔效应下产生针刺的结构示意图；

图4为本发明实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图5为图4中B-B向的侧视剖面结构示意图；

图6为本发明实施例三提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图7为图6中C-C向的侧视剖面结构示意图；

图8为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图9为本发明实施例四中形成栅级线层后阵列基板的局部俯视结构示意图；

图10为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中采用双色调掩膜板进行构图工艺的流程图；

图11为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中检测和修补的流程图；

图12为本发明实施例五提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图13为本发明实施例五中形成数据线层后阵列基板的局部俯视结构示意图；

图14为本发明实施例五提供的阵列基板的制造方法中采用双色调掩膜板进行构图工艺的流程图。

具体实施方式