[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，交叉的栅级线和数据线围设形成多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极，其特征在于：

像素单元中还形成有修补线，所述修补线与所述栅极线和/或数据线同层形成，且与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔；

至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：

所述针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，且部分针刺与所述像素电极相连，部分针刺从所述绝缘层的表面露出。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

所述修补线与所述数据线同层形成，所述数据线为三层叠层结构，所述三层叠层结构的中层为与所述修补线表层材料相同的活性金属，所述三层叠层结构的上层和下层分别为惰性金属；

所述修补线为双层叠层结构，所述双层叠层结构的上层为所述活性金属，所述双层叠层结构的下层为惰性金属，所述活性金属的针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，即穿过覆盖所述数据线的钝化层，与所述像素电极相连。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

所述修补线与所述栅极线同层形成，所述栅极线为双层叠层结构，所述双层叠层结构的下层为与所述修补线表层材料相同的活性金属，所述双层叠层结构的上层为惰性金属；

所述修补线为所述活性金属制成的单层结构，所述修补线的针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，即穿过覆盖所述栅极线的栅极绝缘层和覆盖所述数据线的钝化层，与所述像素电极相连。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：

所述修补线与挡光条一体成型，所述挡光条与所述栅极线同层形成。

6.根据权利要求1～5任一所述的阵列基板，其特征在于：

所述活性金属材料为铝、铜或其合金。

7.根据权利要求3～5任一所述的阵列基板，其特征在于：

所述惰性金属为钼、钛或其合金。

8.根据权利要求2～5任一所述的阵列基板，其特征在于：

非正常显示的像素单元中的像素电极断开与其他导电结构的连接，且通过跨接线与相邻像素单元中的像素电极相连；

所述跨接线连接相邻像素单元中露出绝缘层表面的针刺。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于：

相邻像素单元中的修补线形成在栅极线的两侧，所述跨接线跨越所述栅极线设置。

10.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成栅极线、数据线、TFT开关和像素电极的步骤，其特征在于，还包括：

在形成所述栅极线和/或数据线的图案的同时，还形成修补线，所述修补线与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔，至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

11.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成修补线的步骤包括：

至少部分所述修补线的图案形成在所述像素电极的下方，则所述针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，且部分针刺与所述像素电极相连，部分针刺从所述绝缘层的表面露出。