[发明专利]CMOS图像传感器的制作方法有效
| 申请号： | 200910198351.7 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054770A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邹立;罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制作方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有用于隔离有源区的隔离结构，所述的有源区包括用于形成MOS晶体管的区域和用于形成发光二极管的区域；
在所述半导体衬底的用于形成MOS晶体管的区域上形成栅极结构；
在所述半导体衬底的用于形成发光二极管的区域上进行第一离子注入，形成与半导体衬底掺杂类型相反的第一掺杂区域；
形成覆盖所述半导体衬底，栅极结构以及第一掺杂区域的牺牲层；
在所述牺牲层上形成暴露出第一掺杂区域的光刻胶图案层；
以所述光刻胶图案层为掩膜，进行第二离子注入，以在所述第一掺杂区域表面形成覆盖层，所述的覆盖层的掺杂离子类型与第一掺杂区域的掺杂离子类型相反；
去除光刻胶图案层以及覆盖层之外其它位置的牺牲层；
在所述的栅极结构侧壁形成侧墙。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为50至300埃。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型掺杂，所述第一掺杂区域为N型掺杂，所述覆盖层为P型掺杂。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂区域的掺杂离子为磷离子。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，磷离子的注入工艺为：离子注入能量为150至200Kev，离子注入剂量为3E12至3E13atoms/cm2。
7.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述覆盖层为P型掺杂离子为氟化硼离子。
8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，氟化硼离子的注入工艺为：掺杂能量为10至60Kev，离子注入剂量为2E12至2E13atoms/cm2。
9.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有用于隔离有源区的隔离结构，所述的有源区包括用于形成MOS晶体管的区域和用于形成发光二极管的区域；所述用于形成MOS晶体管的区域上具有栅极结构以及位于栅极结构侧壁的侧墙；其特征在于，所述用于形成发光二极管的区域包括位于半导体衬底内的第一掺杂区域，以及依次位于第一掺杂区域上的覆盖层和牺牲层，其中，第一掺杂区域的掺杂类型与半导体衬底和覆盖层的掺杂类型相反。
10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述牺牲层为多晶硅层。
11.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为50至300埃。
12.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底为P型掺杂，所述第一掺杂区域为N型掺杂，所述覆盖层为P型掺杂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
