[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法

权利要求书

1.一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；

在半导体基底的表面形成第一金属层；

第一次快速退火，形成第一金属硅化物层；

刻蚀去除第一金属层中未发生反应的部分；

在第一金属硅化物层上沉积形成生长层；

在所述半导体基底的表面形成第二金属层；

第二次快速退火，形成第二金属硅化物层；

刻蚀去除第二金属层中未发生反应的部分。

2.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述第一金属层占所述第一金属层和所述第二金属层的金属层总厚度的5％～20％。

3.根据权利要求2所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述第一金属层的材料选自镍铂合金，铂在所述镍铂合金中所占重量比例为2％～20％。

4.根据权利要求2所述自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述第二金属层中的厚度占所述金属层总厚度的80％至95％。

5.根据权利要求2或4所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述第二金属层的材料选自镍金属。

6.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述形成第一金属层和所述第二金属层均采用为物理气相沉积，沉积过程的载气为氩气，所述氩气的流量为10sccm至60sccm，所述第一金属层和所述第二金属层的形成过程使用的功率为500～5000瓦。

7.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述形成生长层采用化学气相沉积，选择硅烷作为中间化合物，形成生长层的厚度为40～160埃，反应温度为400摄氏度至700摄氏度，反应腔的压力值为1托至5托。

8.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述第一次快速退火的温度250摄氏度至450摄氏度，持续时间为3秒至5秒，载气选自氦气、氩气、氮气中的一种。

9.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于：所述第二次快速退火的温度400摄氏度至650摄氏度，持续时间为3秒至30秒，载气选自氦气、氩气、氮气中的一种。