[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有沟槽；

内衬氮化层，位于所述沟槽中和所述半导体衬底上；

保护氧化层，沉积在所述内衬氮化层上；以及

器件隔离膜，通过在所述半导体衬底上制备间隙填充介电层以覆盖具有沉积在其上的所述保护氧化层的所述沟槽的内侧，并平坦化所述间隙填充介电层来形成所述器件隔离膜。

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

衬垫氧化图样，形成在所述半导体衬底上并邻近所述沟槽，其中，所述衬垫氧化图样被用作用来形成所述沟槽的掩膜图样；以及

衬垫氮化图样，形成在所述衬垫氧化图样上，其中，所述内衬氮化层位于所述沟槽中和所述衬垫氮化图样上。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：设置在所述沟槽的内壁上的薄氧化硅层，

其中，所述内衬氮化层位于具有形成在其中的薄氧化硅层的所述沟槽中以及半导体衬底上。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述保护氧化层由高温氧化(HTO)膜组成，以及其中，所述内衬氮化层由氮化硅膜组成。

5.一种制造半导体器件的方法，包括：

刻蚀半导体衬底以形成沟槽；

在所述半导体衬底上制备内衬氮化层以覆盖所述沟槽的内侧；

在所述内衬氮化层上沉积保护氧化层；以及

在所述半导体衬底上制备间隙填充介电层，然后平坦化所述间隙填充介电层以形成器件隔离膜，其中，所述半导体衬底具有所述沟槽，所述沟槽具有沉积在其中的所述保护氧化层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述沟槽的所述形成包括：

在所述半导体衬底上形成用于所述沟槽形成的掩膜图样；以及

刻蚀所述掩膜图样以完成所述沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述掩膜图样的所述形成包括：

在所述半导体衬底上制备衬垫氧化层；

在所述衬垫氧化层上制备衬垫氮化层；

在所述衬垫氮化层上形成光刻胶图样；以及

用所述光刻胶图样刻蚀所述衬垫氮化层和所述衬垫氧化层，以完成包括衬垫氧化图样和衬垫氮化图样的所述掩膜图样。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述内衬氮化层位于所述沟槽的内侧和所述衬垫氮化图样上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述内衬氮化层的形成之前，在所述沟槽的内壁上形成薄氧化硅层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述保护氧化层由HTO膜组成，其中，所述内衬氮化层由所述硅氮化膜组成。