[发明专利]电子装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种电子装置，特别有关于一种电感及/或电容的无源元件及其制造方法。

背景技术

一般而言，在晶片的有源元件周围会设置一些无源元件，例如电阻器、电容器或电感器等，以储存或释放电路中的电能来调节电流的稳定性。电容器由两个电极以及两个电极之间的介电层所组成，而电感器则通常为螺旋状的电感器。

传统的电容器与电感器也可以在晶片封装的印刷电路板(PCB)上制作，其通常使用高分子作为电容器的介电层材料，使得电容器达到较高的品质因数，然而其电容值密度却因此而降低。虽然可以使用高介电常数(high K)的高分子作为介电层材料来提高电容值密度，但是高介电常数的高分子材料成本较高，而且在制程上的操作较不容易。

因此，业界亟需一种具有新颖结构的电子装置，以达到较高的电容值密度及/或较高的品质因数。

发明内容

本发明提供一种电子装置，其包括：玻璃基底；图案化半导体基底，具有至少一开口，设置于玻璃基底上；及至少一无源元件，具有第一导电层及第二导电层，其中第一导电层位于图案化半导体基底与玻璃基底之间。

本发明所述的电子装置，该第二导电层位于该开口内。

本发明所述的电子装置，该无源元件为一电感，该第一导电层与该第二导电层电性连接。

本发明所述的电子装置，该无源元件为一电容，其包括一介电层，该介电层位于该图案化半导体基底与该玻璃基底之间，且与该第一导电层及该第二导电层形成三明治结构。

本发明所述的电子装置，该至少一无源元件包括一电容及一电感，且该图案化半导体基底包括一对应该电容的第一开口及一对应该电感的第二开口，其中该第二导电层位于该第一开口及该第二开口内。

本发明所述的电子装置，该第二导电层于对应该电感的该第二开口内与该第一导电层电性连接。

本发明所述的电子装置，该电容包括一介电层，该介电层位于该图案化半导体基底与该玻璃基底之间。

本发明所述的电子装置，该第二导电层于对应该电容的该第一开口内与该第一导电层及该介电层形成三明治结构。

本发明所述的电子装置，该第二开口小于该第一开口。

本发明所述的电子装置，该第二导电层填满或顺应性形成于该第二开口内。

本发明所述的电子装置，该第二导电层顺应性形成于对应该电容的该第一开口内。

本发明所述的电子装置，该介电层为一平坦化层。

本发明所述的电子装置，该电容及该电感的该第一导电层共平面，且该电容及该电感的该第二导电层共平面。

本发明所述的电子装置，还包括一粘着层以接合该图案化半导体基底及该玻璃基底。

本发明所述的电子装置，还包括一第一保护层，以隔离该第二导电层与该图案化半导体基底。

本发明所述的电子装置，还包括一第二保护层，以覆盖该第二导电层与该第一保护层。

本发明所述的电子装置，该第一保护层顺应性覆盖该图案化半导体基底。

本发明所述的电子装置，该第二保护层为一平坦化层。

本发明所述的电子装置，该第一保护层和该第二保护层的材料包括一感光性绝缘材料。

此外，本发明又提供一种电子装置的制造方法，包括：提供半导体基底，具有无源元件区；形成介电层于半导体基底上；形成多个下层开口于介电层内；形成第一导电层于介电层上及所述下层开口内；提供玻璃基底，将半导体基底与玻璃基底接合，使得介电层及第一导电层介于玻璃基底与半导体基底之间。

本发明所述的电子装置的制造方法，还包括：图案化该半导体基底，形成多个上层开口于半导体基底的无源元件区内，暴露出介电层及/或所述下层开口内的第一导电层；形成第一保护层于半导体基底上，以及所述上层开口的侧壁上；及形成第二导电层于第一保护层上及所述上层开口内，以与介电层及/或第一导电层接触。

本发明所述的电子装置的制造方法，该无源元件为一电感，该第一导电层与该第二导电层电性连接。

本发明所述的电子装置的制造方法，该第二导电层填满该上层开口或顺应性形成于该上层开口内。

本发明所述的电子装置的制造方法，该无源元件为一电容，其中该介电层、该第一导电层及该第二导电层形成三明治结构。

本发明所述的电子装置的制造方法，该第二导电层顺应性形成于该上层开口内。

本发明所述的电子装置的制造方法，于该半导体基底与该玻璃基底接合的步骤之后，还包括将该半导体基底薄化。

本发明所述的电子装置的制造方法，还包括形成一平坦化的第二保护层于该第二导电层上，且填满所述上层开口。