[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

一玻璃基底；

一图案化半导体基底，具有至少一开口，设置于该玻璃基底上；及

至少一无源元件，具有一第一导电层及一第二导电层，其中该第一导电层位于该图案化半导体基底与该玻璃基底之间。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二导电层位于该开口内。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该无源元件为一电感，该第一导电层与该第二导电层电性连接。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该无源元件为一电容，其包括一介电层，该介电层位于该图案化半导体基底与该玻璃基底之间，且与该第一导电层及该第二导电层形成三明治结构。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该至少一无源元件包括一电容及一电感，且该图案化半导体基底包括一对应该电容的第一开口及一对应该电感的第二开口，其中该第二导电层位于该第一开口及该第二开口内。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第二导电层于对应该电感的该第二开口内与该第一导电层电性连接。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该电容包括一介电层，该介电层位于该图案化半导体基底与该玻璃基底之间。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该第二导电层于对应该电容的该第一开口内与该第一导电层及该介电层形成三明治结构。

9.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第二开口小于该第一开口。

10.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第二导电层填满或顺应性形成于该第二开口内。

11.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第二导电层顺应性形成于对应该电容的该第一开口内。

12.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该介电层为一平坦化层。

13.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该电容及该电感的该第一导电层共平面，且该电容及该电感的该第二导电层共平面。

14.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一粘着层以接合该图案化半导体基底及该玻璃基底。

15.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括一第一保护层，以隔离该第二导电层与该图案化半导体基底。

16.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，还包括一第二保护层，以覆盖该第二导电层与该第一保护层。

17.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，该第一保护层顺应性覆盖该图案化半导体基底。

18.根据权利要求16所述的电子装置，其特征在于，该第二保护层为一平坦化层。

19.根据权利要求16所述的电子装置，其特征在于，该第一保护层和该第二保护层的材料包括一感光性绝缘材料。

20.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，具有一无源元件区；

形成一介电层于该半导体基底上；

形成多个下层开口于该介电层内；

形成一第一导电层于该介电层上及所述下层开口内；

提供一玻璃基底，将该半导体基底与该玻璃基底接合，使得该介电层及该第一导电层介于该玻璃基底与该半导体基底之间。

21.根据权利要求20所述的电子装置的制造方法，其特征在于，还包括：

图案化该半导体基底，形成多个上层开口于该半导体基底的该无源元件区内，暴露出该介电层及/或所述下层开口内的该第一导电层；

形成一第一保护层于该图案化半导体基底上，以及所述上层开口的侧壁上；及

形成一第二导电层于该第一保护层上及所述上层开口内，以与该介电层及/或该第一导电层接触。

22.根据权利要求21所述的电子装置的制造方法，其特征在于，该无源元件为一电感，该第一导电层与该第二导电层电性连接。