[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910161498.9 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101645462A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;宫永昭治;秋元健吾;白石康次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L27/02;H01L21/34;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘 倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：
源电极层和漏电极层；
所述源电极层和所述漏电极层上的具有n型导电型的第一 缓冲层；
在所述第一缓冲层上的具有n型导电型的第二缓冲层；
所述第二缓冲层上的半导体层；
所述半导体层上的栅极绝缘层；以及
所述栅极绝缘层上的栅电极层，
其中，所述半导体层和所述第一缓冲层是氧化物半导体层，
每一所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，
所述第一缓冲层的载流子浓度高于所述第二缓冲层的载流子浓 度，
所述第二缓冲层的载流子浓度高于所述半导体层的载流子浓度， 并且
所述源电极层和所述漏电极层隔着夹在所述源电极层或所述漏 电极层与所述半导体层之间的所述第一缓冲层和所述第二缓冲层分 别电连接到所述半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一缓冲层覆盖 所述源电极层的端部和所述漏电极层的端部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一缓冲层含有 赋予n型导电型的杂质元素。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层的载流 子浓度低于1×1017atoms/cm3，并且所述第二缓冲层的载流子浓度为 1×1018atoms/cm3以上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源电极层和所述 漏电极层含有钛。
6.一种半导体装置，包括：
薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：
源电极层和漏电极层；
所述源电极层和所述漏电极层上的具有n型导电型的第一 缓冲层；
在所述第一缓冲层上的具有n型导电型的第二缓冲层；
所述第二缓冲层上的半导体层；
所述半导体层上的栅极绝缘层；以及
所述栅极绝缘层上的栅电极层，
其中，所述半导体层和所述第一缓冲层是氧化物半导体层，
所述栅电极层不与所述源电极层和所述漏电极层重叠，
所述第一缓冲层的载流子浓度高于所述第二缓冲层的载流子浓 度，
所述第二缓冲层的载流子浓度高于所述半导体层的载流子浓度，
并且，所述源电极层和所述漏电极层隔着夹在所述源电极层或所 述漏电极层与所述半导体层之间的所述第一缓冲层和所述第二缓冲 层分别电连接到所述半导体层。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一缓冲层覆盖 所述源电极层的端部和所述漏电极层的端部。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一缓冲层含有 赋予n型导电型的杂质元素。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体层的载流 子浓度低于1×1017atoms/cm3，并且所述第二缓冲层的载流予浓度为 1×1018atoms/cm3以上。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述源电极层和所 述漏电极层含有钛。
11.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体 层含有铟、镓以及锌。
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