[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器件的方法，包括：

在晶胞区域的有源区中形成埋入式字线；

在所述晶胞区域中形成绝缘层并在外围区域中形成栅极的下电极层，从而使所述绝缘层所在的高度大致等于所述下电极层所在的高度；以及

在所述晶胞区域和所述外围区域上设置第一导电层以形成位线层和上电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

蚀刻所述绝缘层以在所述晶胞区域的有源区中形成位线触点孔，所述位线触点孔使与所述埋入式字线相邻的有源区露出；以及

填充所述位线触点孔以形成位线接触插塞。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述第一导电层通过延伸到所述位线触点孔的外部而形成以限定所述位线层，并且所述第一导电层设置在所述外围区域的下电极层上方以形成所述栅极的上电极。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述晶胞区域和所述外围区域上沉积金属阻挡层，其中所述第一导电层形成在所述金属阻挡层上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述位线层所在的高度与所述栅极的上电极层所在的高度大致相同。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

在所述晶胞区域中形成绝缘层并在所述外围区域中形成栅极的下电极层的步骤包括：

在所述晶胞区域和所述外围区域中沉积绝缘层；

移除沉积在所述外围区域中的绝缘层而在所述晶胞区域中留下至少一部分绝缘层；

在所述晶胞区域和所述外围区域上沉积第二导电层；以及

移除沉积在所述晶胞区域上的第二导电层以使设置在所述晶胞区域上的绝缘层露出，其中，

残留在所述外围区域中的第二导电层是位于所述外围区域中的栅极的下电极层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

移除所述第二导电层的步骤包括：

对所述第二导电层执行化学机械抛光工序以消除所述晶胞区域与所述外围区域之间的高度差。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，

使用干式蚀刻工序来移除所述第二导电层。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，

移除所述绝缘层的步骤包括：

在所述晶胞区域和所述外围区域上沉积硬掩模层；

将所述硬掩模层图案化以限定位线触点孔；以及

使用经图案化的硬掩模层来蚀刻露出的绝缘层。

10.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述第二导电层上沉积硬掩模层。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述位线层、所述上电极层和所述下电极层图案化，以形成位于所述晶胞区域中的位线和位于所述外围区域中的栅极图案。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述位线层所在的高度与所述上电极层所在的高度大致相同。

13.一种半导体存储器件，包括：

埋入式字线，其形成于晶胞区域的有源区中；

位线，其设置在所述埋入式字线的上方；

绝缘层，其构造成使所述有源区与所述位线电绝缘；以及

栅极图案，其位于外围区域中，所述栅极图案具有下电极和上电极；其中，

所述绝缘层所在的高度大致等于所述栅极图案的下电极所在的高度。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中，

所述位线所在的高度大致等于所述栅极图案的上电极所在的高度。

15.根据权利要求13所述的半导体存储器件，还包括：

将所述有源区和所述位线电连接的位线接触插塞。

16.根据权利要求15所述的半导体存储器件，还包括：

金属阻挡层，其设置在所述位线接触插塞与所述绝缘层之间、以及所述栅极图案的上电极与下电极之间。

17.根据权利要求13所述的半导体存储器件，还包括：

存储节点触点，其连接至所述有源区，其中，所述位线和所述存储节点触点形成为位于比所述栅极图案所在的高度高的位置上。