[发明专利]用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法

说明书

相关申请的交叉引用

根据35 U.S.C.§119，该美国非临时专利申请要求2008年6月24日申请的申请号为10-2008-0059697的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

在此公布的本发明涉及一种基板处理装置和方法，尤其涉及一种用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法。

背景技术

一般情况下，蚀刻通常出现于半导体器件的加工工艺中，用于对在半导体基板上形成的层(如，金属层、氧化层、多晶硅层和光刻胶层)进行图案成型。

例如，蚀刻方法包括化学蚀刻、等离子蚀刻、离子束蚀刻和反应离子蚀刻。目前，旋转蚀刻作为一种化学蚀刻方法而被广泛地应用。在旋转蚀刻工艺中，可在旋转半导体基板期间通过向所述半导体基板注射化学制品而对所述半导体基板进行蚀刻。

在旋转蚀刻工艺中，可以通过中心供应方法向半导体基板的中心(旋转中心)注射化学制品(蚀刻剂)，或者可以通过扫描供应方法从半导体基板的中心部位至边缘部位向半导体基板注射化学制品。在旋转蚀刻工艺中，由于是利用离心力使化学制品从半导体基板表面的中心部位向边缘部位流动，从而从半导体基板表面移除薄层，因此难以根据半导体基板表面的区域调整半导体基板表面的蚀刻速度。

发明内容

本发明提供的基板处理装置和方法用于根据在前工序的分散程度(degreeof scattering of the previous process)有选择地蚀刻基板。

参照说明书和附图，可以进一步理解本发明的本质和优点。

本发明的实施例提供了用于蚀刻基板表面的基板处理方法，该方法包括：通过第一喷嘴向旋转的基板的中心部位供应蚀刻剂；和通过设置在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处的第二喷嘴供应蚀刻防止剂，以用于稀释所述蚀刻剂。

在一些实施例中，可以当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向持续移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂。

在其他实施例中，可以当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂，且在移动所述第二喷嘴的期间所述第二喷嘴至少短暂地驻留一次。

在另一些其他实施例中，可以在相同的时间段内向所述基板供应所述蚀刻防止剂和所述蚀刻剂。

在又一些其他实施例中，可以向所述基板供应加热后或冷却后的蚀刻防止剂。

在又一些其他实施例中，可以利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速度蚀刻所述基板的表面区域，所述蚀刻速度根据所述蚀刻防止剂的供应量、温度或注射位置而发生变化。

本发明的其他实施例也提供了用于蚀刻基板表面的基板处理方法，这些方法包括向基板供应蚀刻剂和蚀刻防止剂以用于蚀刻基板，其中向基板的不同区域供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述不同区域是相互重合的。

在一些实施例中，向所述基板上供应所述蚀刻剂的区域可以大于向所述基板上供应所述蚀刻防止剂的区域。

在其他实施例中，可以分别在预定的时间段内供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述时间段是相互重合的。

在另一些其他实施例中，可以向所述基板的中心部位供应所述蚀刻剂。

在又一些其他实施例中，可以向所述基板的全部区域供应所述蚀刻剂，且向除所述基本的中心区域外的所述基板的其他全部区域供应所述蚀刻防止剂。

而在又一些其他实施例中，可以旋转所述基板，并可以直接向所述基板的旋转中心供应所述蚀刻剂，且在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处可以直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂。

在另一些的实施例中，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置可以随时间发生变化。

在另一些的实施例中，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置，可以在从所述基板的中心部位到所述基板的边缘部位的方向上发生变化。

在又一些实施例中，可以向所述基板供应加热后或冷却后的蚀刻防止剂。

在又一些实施例中，所述蚀刻防止剂可以为去离子水或惰性气体。

本发明的另一些其他实施例还提供了用于蚀刻基板表面的基板处理装置，这些装置包括：旋转头，用于在所述旋转头上支撑有基板时进行旋转；第一喷嘴，用于向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻剂；第二喷嘴，用于在加工期间向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻防止剂；和控制单元，用于控制所述第一喷嘴以使得通过所述第一喷嘴向所述基板的中心部位注射所述蚀刻剂，并用于控制所述第二喷嘴以使得通过所述第二喷嘴在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处向所述基板注射所述蚀刻防止剂。