[发明专利]用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法

权利要求书

1、一种基板处理方法，用于蚀刻基板表面，其特征在于，所述方法包括：

通过第一喷嘴向旋转的基板的中心部位供应蚀刻剂；和

通过第二喷嘴供应蚀刻防止剂以用于稀释所述蚀刻剂，所述第二喷嘴设置在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处。

2、根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向持续移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂。

3、根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当从所述预定位置开始沿朝向基板的边缘部位的方向移动所述第二喷嘴时，通过所述第二喷嘴供应蚀刻防止剂，且在移动所述第二喷嘴的期间所述第二喷嘴至少短暂地驻留一次。

4、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，在相同的时间段内向所述基板供应所述蚀刻防止剂和所述蚀刻剂。

5、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板供应加热后的蚀刻防止剂。

6、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板供应冷却后的蚀刻防止剂。

7、根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速度蚀刻所述基板的表面区域，所述蚀刻速度根据所述蚀刻防止剂的供应量、温度或注射位置而发生变化。

8、一种基板处理方法，用于蚀刻基板表面，其特征在于，所述方法包括向基板供应蚀刻剂和蚀刻防止剂以用于蚀刻基板，其中向基板的不同区域供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述不同区域是相互重合的。

9、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板上供应所述蚀刻剂的区域大于向所述基板上供应所述蚀刻防止剂的区域。

10、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，分别在预定的时间段内供应所述蚀刻剂和所述蚀刻防止剂，且至少部分所述时间段是相互重合的。

11、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板的中心部位供应所述蚀刻剂。

12、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板的全部区域供应所述蚀刻剂，且向除所述基板的中心区域外的所述基板的其他全部区域供应所述蚀刻防止剂。

13、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，旋转所述基板，并直接向所述基板的旋转中心供应所述蚀刻剂，且在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂。

14、根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置随时间发生变化。

15、根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，直接向所述基板供应所述蚀刻防止剂的所述预定位置，在从所述基板的中心部位到所述基板的边缘部位的方向上发生变化。

16、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，向所述基板供应加热后或冷却后的蚀刻防止剂。

17、根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述蚀刻防止剂为去离子水或惰性气体。

18、一种基板处理装置，用于蚀刻基板表面，其特征在于，所述装置包括：

旋转头，用于在所述旋转头上支撑有基板时进行旋转；

第一喷嘴，用于向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻剂；

第二喷嘴，用于在加工期间向放置在所述旋转头上的基板注射蚀刻防止剂；和

控制单元，用于控制所述第一喷嘴以使得通过所述第一喷嘴向所述基板的中心部位注射所述蚀刻剂，并用于控制所述第二喷嘴以使得通过所述第二喷嘴在与所述基板的中心部位相偏离的预定位置处向所述基板注射所述蚀刻防止剂。

19、根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，所述装置进一步包括去离子水供应单元，所述去离子水供应单元用于向所述第二喷嘴供应作为所述蚀刻防止剂的去离子水。